[发明专利]半导体结构及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，包含：

一晶片，具有一感光元件及一镂空区；

一保护层，位于该晶片的表面上，且覆盖该感光元件，其中该保护层具有一开口，对准且连通于该镂空区；该开口的口径小于该镂空区的口径；该开口的口径朝该镂空区的方向逐渐增大，且该镂空区的口径朝该开口的方向逐渐减小，使该保护层环绕该开口的一第一侧壁及该晶片环绕该镂空区的一第二侧壁均为斜面；

一焊垫，位于该保护层中，且露出于该开口，该焊垫具有位于该开口中且朝向该开口的一顶面；

一绝缘层，位于该第一侧壁上、该第二侧壁上、及邻接该第一侧壁与该第二侧壁间的该保护层的表面上，且该焊垫具有背对该顶面的一底面，且该焊垫的该底面完全由该保护层覆盖；以及

一导电层，位于该绝缘层上，且覆盖该焊垫的该顶面，使该导电层电性接触该焊垫，其中该焊垫的该顶面位于该导电层与该保护层之间，且在该开口中的该绝缘层位于该导电层与该保护层之间。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，该第一侧壁与该焊垫间的夹角及该第二侧壁与该保护层间的夹角均为锐角。

3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包含：

一阻隔层，覆盖于该导电层上。

4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包含：

一透光元件；以及

一支撑层，位于该透光元件与该保护层之间，使该透光元件、该支撑层及该保护层间形成一空间。

5.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，还包含：

一彩色滤光片，设置于该保护层背对该晶片的表面上，且位于该空间中，其中该彩色滤光片对准于该感光元件。

6.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包含下列步骤：

a、提供一晶圆结构，其中该晶圆结构具有一晶圆及覆盖该晶圆的一保护层；

b、于该晶圆相对该保护层的表面上形成图案化的一光阻层；

c、蚀刻该晶圆，使该晶圆形成多个通道，且该保护层由所述通道露出；

d、蚀刻该保护层，使该保护层形成对准所述通道的多个开口，其中该保护层中的多个焊垫分别露出于所述开口及所述通道，所述焊垫具有位于所述开口中且朝向所述开口的多个顶面，且每一该开口的口径朝对应的该通道的方向逐渐增大，所述焊垫具有背对所述顶面的多个底面，且所述焊垫的所述底面完全由该保护层覆盖；

e、蚀刻该晶圆环绕所述通道的多个侧表面，使所述通道扩大而分别形成多个镂空区，其中每一该镂空区的口径朝对应的该开口的方向逐渐减小，且每一该开口的口径小于对应的该镂空区的口径；

f、于该保护层环绕所述开口的多个第一侧壁上、该晶圆环绕所述镂空区的多个第二侧壁上、所述焊垫上、及邻接所述第一侧壁与所述第二侧壁间的该保护层的表面上形成一绝缘层；

g、图案化该绝缘层，使位于所述焊垫上的该绝缘层被去除；以及

h、于该绝缘层及所述焊垫上形成一导电层，使该导电层覆盖且电性接触所述焊垫的所述顶面，其中所述焊垫的所述顶面位于该导电层与该保护层之间，且在所述开口中的该绝缘层位于该导电层与该保护层之间。

7.根据权利要求6所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，还包含：

于该导电层上形成一阻隔层，且该阻隔层覆盖该导电层。

8.根据权利要求7所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，该晶圆结构具有一透光元件及位于该透光元件与该保护层之间的一支撑层，该半导体结构的制造方法还包含：

切割该阻隔层、该晶圆、该保护层、该支撑层及该透光元件。