[发明专利]单极化振子有效
申请号: | 201410316604.7 | 申请日: | 2014-07-06 |
公开(公告)号: | CN104134853A | 公开(公告)日: | 2014-11-05 |
发明(设计)人: | 胡洁维 | 申请(专利权)人: | 胡洁维 |
主分类号: | H01Q1/36 | 分类号: | H01Q1/36;H01Q1/50;H01Q1/52 |
代理公司: | 无 | 代理人: | 无 |
地址: | 246000*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 极化 | ||
1.一种单极化振子,包括有一支撑巴伦板(1),其特征在于:所述支撑巴伦板(1)上设有上下两个呈正五边形的金属振子片(3);所述上下两个金属振子片(3)用于单极化信号;所述上下两个金属振子片(3)之间设有第一馈电带线(11);所述支撑巴伦板(1)上设有第一同轴电缆馈电(11a)孔,所述第一同轴电缆馈电(11a)孔与第一馈电带线(11)电连接;
所述每个金属振子片(3)的边缘设有外隔离圈(4),所述每个金属振子片(3)上靠近两侧分别设有复数个并排设置的第一隔离阻断孔(6),所述每个金属振子片(3)上的中部还设有复数个并排设置的第二隔离阻断孔(7),第二隔离阻断孔(7)均为矩形;所述外隔离圈(4)为半导体,所述第一隔离阻断孔(6)以及第二隔离阻断孔(7)内均填充设有半导体;
所述每个金属振子片(3)远离支撑巴伦板(1)的一侧设有用于整流的整流结构(5),所述整流结构(5)为三角形,所述整流结构(5)包括有复数个并排设置的整流槽,整流槽之间设有整流道(51);所述整流槽内也均填充设有半导体。
2.根据权利要求1所述的一种单极化振子,其特征在于:所述第一隔离阻断孔(6)为平行四边形;所述第一隔离阻断孔(6)的上下边的长度均为4mm-7mm。
3.根据权利要求1所述的一种单极化振子,其特征在于:所述半导体为砷化镓半导体。
4.根据权利要求1所述的一种单极化振子,其特征在于:所述每个金属振子片(3)的厚度为2mm-2.5mm。
5.根据权利要求1所述的一种单极化振子,其特征在于:所述第二隔离阻断孔(7)的上下边的长度为22mm-25mm。
6.根据权利要求1所述的一种单极化振子,其特征在于:所述第一隔离阻断孔(6)的数量为六个。
7.根据权利要求1所述的一种单极化振子,其特征在于:所述第二隔离阻断孔(7)的数量为五个。
8.根据权利要求1所述的一种单极化振子,其特征在于:所述支撑巴伦板(1)为圆形;所述支撑巴伦板(1)为PCB板,其直径为10cm。
9.根据权利要求1所述的一种单极化振子,其特征在于:所述金属振子片(3)的每一条边长为6cm。
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