[发明专利]三维叠层多芯片结构及其制造方法

权利要求书

1.一种三维叠层多芯片结构，包括：

M个芯片，每一芯片具有一共享连接区与一芯片引导块，且包括：

一基板；及

一图案化电路层，设置于该基板上，该图案化电路层包括一有源元件、至少一共享导电结构与N个芯片启动导电结构，该共享导电结构位于该共享连接区，该N个芯片启动导电结构位于该芯片引导块；

一第一导电柱，连接该M个芯片的共享导电结构；以及

N个第二导电柱，每一第二导电柱连接该N个芯片启动导电结构的其中之一；

其中该M个芯片的芯片引导块具有不同的导通状态，N大于1、M大于2，且M小于或等于2的N次方，该M种不同的导通状态是通过编程或图案化该N个芯片启动导电结构所形成，该N个芯片启动导电结构是通过激光修复、电熔丝或非易失性存储器进行编程。

2.根据权利要求1所述的三维叠层多芯片结构，其中该N个芯片启动导电结构包括一第一金属层与一第二金属层其中之一，该第一金属层与该第二金属层具有不同的导电线路，使该N个芯片启动导电结构形成2N种不同的导通状态。

3.根据权利要求1所述的三维叠层多芯片结构，其中该图案化电路层更包括一介电层，该有源元件、该共享导电结构与该N个芯片启动导电结构透过该介电层彼此隔绝。

4.根据权利要求1所述的三维叠层多芯片结构，其中该基板包括多个绝缘结构，这些绝缘结构直接接触该第一导电柱或该N个第二导电柱。

5.根据权利要求1所述的三维叠层多芯片结构，其中该有源元件包括闪存电路、应用型专用电路、通用处理器或可编程逻辑设备。

6.根据权利要求1所述的三维叠层多芯片结构，其中该共享导电结构包括输入/输出接垫与开关接垫。

7.根据权利要求1所述的三维叠层多芯片结构，其中图案化该N个芯片启动导电结构以形成一第一金属层与一第二金属层其中之一，该第一金属层与该第二金属层具有不同的导电线路，使该N个芯片启动导电结构形成2N种不同的导通状态。

8.一种三维叠层多芯片结构的制造方法，包括：

提供M个芯片，每一芯片具有一共享连接区与一芯片引导块，且包括一基板与一图案化电路层，该图案化电路层设置于该基板上，且包括一有源元件、至少一共享导电结构与N个芯片启动导电结构，该共享导电结构位于该共享连接区，该N个芯片启动导电结构位于该芯片引导块；

编程或图案化该N个芯片启动导电结构，使该M个芯片的芯片引导块具有不同的导通状态，其中是通过激光修复、电熔丝或非易失性存储器以编程该N个芯片启动导电结构；

叠层该M个芯片，以形成一叠层结构；

刻蚀该叠层结构，以形成多个导电通道，这些导电通道穿过该共享导电结构与该N个芯片启动导电结构；以及

在这些导电通道中填入导电材料，以形成一第一导电柱与N个第二导电柱，该第一导电柱连接该M个芯片的共享导电结构，每一第二导电柱连接该N个芯片启动导电结构的其中之一，其中N大于1、M大于2，且M小于或等于2的N次方。

9.根据权利要求8所述的制造方法，更包括：

刻蚀该基板，以形成多个绝缘空间；

填入介电材料于这些绝缘空间，以形成多个绝缘结构；及

清洗该导电通道。