[发明专利]像素结构

说明书

技术领域

本发明是有关于一种像素结构，且特别是有关于一种黄光工艺对位精准且提高像素电容稳定度的像素结构。

背景技术

有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode,OLED)面板是一种自发光的显示装置，其因具有广视角、省电、简易工艺、低成本、操作温度广泛、高应答速度以及全彩化等优点，而可望成为下一代平面显示器的主流。一般来说，有机发光二极管面板包括多个像素结构(pixel structure)，且各像素结构包括多个主动元件(例如：薄膜晶体管)或被动元件(例如：电阻、电容)、与主动元件电性连接的阴极或阳极以及位于阴极与阳极之间的有机发光层。

像素结构的主动元件可利用氧化铟镓锌(Indium gallium zinc oxide,IGZO)技术制造。IGZO是一种含有铟、镓和锌的金属氧化物，其载子迁移率(mobility)是非晶硅(a-Si)的10倍以上。因此可以大大提高主动元件对像素电极的充放电速率，实现更快的扫描频率(frame rate)，使动画的播放更加流畅。目前顶栅极(Top Gate)式的像素结构，第一道工艺为半透明的半导体层(如IGZO)。但半透明的半导体层存在使后续的黄光工艺不易精准对位的问题。

发明内容

本发明提供一种像素结构，可使黄光工艺对位更精准且同时提升像素电容的稳定度。

本发明的像素结构包括第一导电层、半导体层、绝缘层、第二导电层、保护层以及第一电极层。第一导电层包括扫描线以及下电极。半导体层包括第一半导体图案，且第一半导体图案具有第一通道层、第一源极区以及第一漏极区。绝缘层位于半导体层上。第二导电层位于绝缘层上，第二导电层包括上电极、第一栅极、第一源极、第一漏极以及与第一源极连接的数据线。其中，下电极与上电极重迭以形成电容器。保护层覆盖第一导电层、半导体层以及第二导电层，其中保护层具有第一开口、第二开口以及第三开口。第一开口暴露出第一源极以及半导体层的第一源极区，第二开口暴露出第一漏极以及半导体层的第一漏极区，且第三开口暴露出第一栅极以及扫描线。第一电极层位于保护层上，其中第一电极层更填入第一开口、第二开口以及第三开口中，以使得第一源极与第一源极区电性连接，使得第一漏极与第一漏极区电性连接，且使得第一栅极与扫描线电性连接。

其中，该第一电极层与该扫描线以及该数据线重迭。

其中：该第一导电层更包括一第一信号线；该半导体层更包括一第二半导体图案，该第二半导体图案具有一第二通道层、一第二源极区以及一第二漏极区；该第二导电层更包括一第二栅极以及一第二信号线；该保护层更包括一第四开口以及一第五开口，该第四开口暴露出该第二源极区以及该第一信号线，该第五开口暴露出该第二漏极区以及该下电极；以及该第一电极层更包括一第二源极且该第二源极更填入该第四开口与该第二源极区电性连接，该第一电极层更包括一第二漏极且该第二漏极更填入该第五开口以与该第二漏极区电性连接。

其中，更包括：一发光层，位于该第一电极层上；以及一第二电极层，位于该发光层上，其中该第二电极层与该第二信号线电性连接。

其中，该第一电极层包括：

一第一连接结构，位于该保护层上且通过该第一开口以电性连接该第一源极以及该第一源极区；

一第二连接结构，位于该保护层上且通过该第二开口以电性连接该第一漏极以及该第一漏极区；以及

一第三连接结构，位于该保护层上且通过该第三开口以电性连接该第一栅极与该扫描线。

其中，该半导体层包括金属氧化物半导体材料。

其中，更包括一氧化铝层，位于该第二导电层的表面上。

本发明的像素结构包括扫描线、数据线、第一主动元件、电容器、保护层、第一连接结构、第二连接结构以及第三连接结构。第一主动元件与扫描线以及数据线电性连接，其中第一主动元件包括第一半导体图案、绝缘层、第一栅极、第一源极以及第一漏极。第一半导体图案具有第一通道区、第一源极区以及第一漏极区。绝缘层位于第一半导体图案上。第一栅极、第一源极以及第一漏极位于绝缘层上。电容器与第一主动元件电性连接，电容器包括下电极以及上电极，且下电极与扫描线为同一膜层，上电极与第一栅极为同一膜层。保护层具有第一开口、第二开口以及第三开口。第一连接结构位于保护层上且透过第一开口以电性连接第一源极以及第一源极区。第二连接结构位于保护层上且透过第二开口以电性连接第一漏极以及第一漏极区。第三连接结构位于保护层上且透过第三开口以电性连接第一栅极与扫描线。

其中，该第一电极与该扫描线以及该数据线重迭。