[发明专利]像素电路及其驱动方法、显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及有机发光显示技术领域，具体涉及一种像素电路及其驱动方法、显示装置。

背景技术

有源矩阵有机发光二极管面板(Active Matrix/Organic Light Emitting Diode，AMOLED)是一种应用于电视和移动设备中的显示技术，以其低功耗，低成本，大尺寸的特点在对功耗敏感的便携式电子设备中有着广阔的应用前景。其核心元件——有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，OLED)在驱动薄膜场效应晶体管(Thin Film Transistor，TFT)处于饱和状态时产生的电流的驱动下，进行发光。但是，在输入相同的灰阶电压时，驱动薄膜场效应晶体管不同的临界电压会产生不同的驱动电流，这将造成电流的不一致。而且，低温多晶硅技术(Low Temperature Poly-silicon，LTPS)制程上阈值电压V_th的均一性非常差，同时还存在漂移。因此，如图1所示的传统2T1C(2个TFT和1个电容)电路的亮度均匀性很差。

针对这一问题，现有技术中常在基于LTPS的AMOLED的像素设计中增加驱动TFT阈值电压补偿功能的电路。具有阈值电压补偿的AMOLED像素电路的常见设计需要6T2C或者需要更多的元器件。TFT或者电容数量的增加，将占用较大的布局空间，不利于AMOLED像素尺寸的缩小，即限制了高PPI(Pixels Per Inch，每英寸所拥有的像素数目)的AMOLED发展。

如图2所示的6T2C的AMOLED像素电路(图中每一个6T2C Pixel代表一个像素单元)，该像素电路具有驱动管T1阈值电压补偿功能，解决了LTPS阈值电压均一性差带来的OLED发光不均匀的问题。但其构成的AMOLED像素电路中，像素的阈值电压补偿开关TFT、灰阶电压写入开关TFT和驱动TFT等都设计在像素中，需要较多数量TFT，如图3(包括像素单元6T2C Pixel、栅线GATE_1、…、GATA_n-1、GATA_n、GATA_n+1至GATE_last和数据线VDATA_1、…、VDATA_m-1、VDATA_m、VDATA_m+1至VDATA_last)所示。从而其不利于像素尺寸的进一步缩小，限制了高PPI的AMOLED发展。

发明内容

(一)解决的技术问题

针对现有技术的不足，本发明提供一种像素电路及其驱动方法、显示装置，可以实现阈值电压补偿功能，有利于缩小像素的尺寸，实现高PPI。

(二)技术方案

为实现以上目的，本发明通过以下技术方案予以实现：

一种像素电路，包括呈矩阵排列的多个像素单元，每个像素单元包括子像素单元和发光元件，所述子像素单元包括与所述发光元件电连接的驱动晶体管，其特征在于：

对应于每行像素单元，所述像素电路还包括行共用单元；所述行共用单元通过第一连接线与对应行的每个像素单元电连接；

对应于每列像素单元，所述像素电路还包括列共用单元；所述列共用单元通过第二连接线与对应列的每个像素单元电连接；

每个像素单元的子像素单元、与该像素单元对应的行共用单元、以及与该像素单元对应的列共用单元组成具有对该子像素单元中的所述驱动晶体管进行阈值电压补偿功能的电路。

优选地，所述子像素单元包括驱动晶体管、第二开关元件、第三开关元件和第一电容，其中：所述驱动晶体管的栅极与所述第二开关元件的第二端、所述第一电容的第一端、以及所述第三开关元件的第二端电连接；所述驱动晶体管的源极与所述第一电容的第二端都与低电平电压线电连接；所述驱动晶体管的漏极与所述第三开关元件的第一端电连接，并与所述发光元件的第二端电连接；所述第二开关元件的第一端与所述第二连接线电连接；所述第三开关元件的控制端与第一控制信号线电连接，所述第二开关元件的控制端与第二控制信号线电连接。

优选地，所述行共用单元包括第四开关元件，其第二端通过所述第一连接线与对应行的每个像素单元中的所述发光元件的第一端电连接；所述第四开关元件的第一端与高电平电压线电连接，所述第四开关元件的控制端与第三控制信号线电连接。

优选地，所述列共用单元包括第二电容和第五开关元件，所述第二电容的第二端、所述第五开关元件的第二端都通过所述第二连接线与对应列每个像素单元的子像素单元中的所述第二开关元件的第一端电连接；所述第二电容的第一端与对应列的像素单元的灰阶写入电压线电连接；所述第五开关元件的控制端与初始控制信号线电连接，所述第五开关元件的第一端与第一电压信号线电连接。