[发明专利]一种立方碳化硅薄膜的制备方法

权利要求书

1.一种立方碳化硅薄膜的制备方法，其特征在于包括如下步骤：

(1)将单晶硅基板放入冷壁式激光化学气相沉积反应器的基板座上，并将真空度调至10Pa以下，并设置反应器内的加热系统，使基板座温度升至100～900℃；

(2)将含六甲基二硅烷的载流气通入反应器内，六甲基二硅烷的流量为1～20sccm，调节反应器内的真空度至10～10kPa；

(3)加载连续激光照射硅基板表面，波长750～1150纳米，调节激光功率为10～150W，其加载激光时间为1～10分钟；

(4)停止通入含有六甲基二硅烷的载流气，关闭激光和反应器内的加热系统，将反应器内的真空度调至10Pa以下，并冷却至室温，即得到沉积在单晶硅基板上的立方碳化硅薄膜。

2.根据权利要求1所述的一种立方碳化硅薄膜的制备方法，其特征在于所述单晶硅基板经过预处理使其表面洁净。

3.根据权利要求2所述的一种立方碳化硅薄膜的制备方法，其特征在于所述预处理的方法是：将基板首先置于乙醇中超声处理，接着置于氨水和双氧水的混合溶液中清洗，然后置于氢氟酸水溶液中清洗后，用去离子水洗涤干净即可。

4.根据权利要求1所述的一种立方碳化硅薄膜的制备方法，其特征在于所述六甲基二硅烷的载流气反应器是氩气或氢气。