[发明专利]ITO薄膜的制备方法及ITO薄膜在审
| 申请号： | 201410317651.3 | 申请日： | 2014-07-04 |
| 公开（公告）号： | CN104109839A | 公开（公告）日： | 2014-10-22 |
| 发明（设计）人： | 刘玉华;方凤军 | 申请（专利权）人： | 宜昌南玻显示器件有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/54;C23C14/08 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 生启 |
| 地址： | 443000*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | ito 薄膜 制备 方法 | ||
1.一种ITO薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
提供衬底；
在还原性气体氛围中，在所述衬底上制备ITO薄膜，其中，所述还原性气体选自氢气、水蒸气及一氧化碳中的一种，或选自氩气和氢气的混合气体、氩气和水蒸气的混合物气体及氩气和一氧化碳的混合物气体中的一种。
2.根据权利要求1所述的ITO薄膜的制备方法，其特征在于，所述在所述衬底上制备ITO薄膜的步骤是采用磁控溅射在所述衬底上制备ITO薄膜。
3.根据权利要求1所述的ITO薄膜的制备方法，其特征在于，所述在所述衬底上制备ITO薄膜的步骤中，所述衬底的温度为220～310℃。
4.根据权利要求1所述的ITO薄膜的制备方法，其特征在于，所述氩气和氢气的混合气体中，氩气和氢气的体积比为95:5、90:10、85:15或80:20；所述氩气和水蒸气的混合物气体中，氩气和水蒸气的体积比为95:5、90:10、85:15或80:20；所述氩气和一氧化碳的混合物气体中，氩气和一氧化碳的体积比为95:5、90:10、85:15或80:20。
5.根据权利要求1所述的ITO薄膜的制备方法，其特征在于，所述氢气、水蒸气和一氧化碳的流量均为1～6sccm，所述氩气和氢气的混合气体、氩气和水蒸气的混合物气体及氩气和一氧化碳的混合物气体的流量均为1～50sccm。
6.一种由如权利要求1～5任一项所述的ITO薄膜的制备方法制备的ITO薄膜。
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