[发明专利]发光装置及其制造方法

权利要求书

1.一种发光装置，包括：

基底；

半导体主体，其可用来产生光且包括设置于所述基底上的n型层、设置于所述n型层上的p型层及设置于所述n型层和p型层之间的发光层；

过渡层，其设置于所述基底上且位于所述n型层和所述基底间，该过渡层包括复数个子层，所述复数个子层中的每层均包含有与其他子层不同的化合物且每一个子层的化合物均包括有IIIA族金属、过渡金属和氮元素；及

p接触层，其设置于所述半导体主体的p型层上。

2.如权利要求1所述的发光装置，其中所述IIIA族金属包括铝(Aluminum)、镓(Gallium)、铟(Indium)、铊(Thallium)或其组合，所述过渡金属包括钛(Titanium)、锆(Zirconium)、铪(Hafnium)、爐(Rutherfordium)或其组合。

3.如权利要求2所述的发光装置，其中所述IIIA金属包括铝和镓中的一个或两个，所述过渡金属包括铪和锆中的一个或两个。

4.如权利要求1所述的发光装置，其中所述过渡层包括有第一子层和第二子层，该第一子层包括化合物Hf_x”Zr_y”Al_z”Ga_{1-x”-y”-z”}N，该第二子层包括{Hf_xZr_yAl_zGa_1-x-y-zN/Hf_x’Zr_y’Al_z’Ga_{1-x’-y’-z’}N}_n的化合物结构，x、x’、x”、y、y’、y”、z、z’和z”中每一个的值均处于从0到1的范围内，x+y+z＝1，x’+y’+z’＝1，x”+y”+z”＝1，n为整数，其数值处于从0到60的范围内。

5.如权利要求4所述的发光装置，其中所述过渡层包括化合物Hf_1-xGa_xN或Hf_1-xAl_xN，当过渡层包括Hf_1-xGa_xN时，x值大于0.97、0.9或等于0.995，当过渡层包括Hf_1-xAl_xN时，x值小于0.01、0.17或等于0.005。

6.如权利要求4所述的发光装置，其中所述过渡层进一步包括第三子层，该第三子层包括化合物Hf_x”’Zr_y”’Al_z”’Ga_{1-x”’-y”’-z”’}N，x”’、y”’、和z”’中每一个的值均处于从0到1的范围内，x”’+y”’+z”’＝1。

7.如权利要求1所述的发光装置，其进一步包括设置于所述过渡层和基底间的缓冲层，该缓冲层包括有复数个缓冲子层，第一缓冲子层包括{Al_xGa_yIn_1-x-yN/Al_x’Ga_y’In_1-x’-y’N}_n化合物结构，第二缓冲子层包括化合物Al_x”Ga_y”In_1-x”-y”N，x、x’、x”、y、y’和y”中每一个的值均处于从0到1的范围内，x+y＝1，x’+y’＝1，x”+y”＝1，n为整数，其数值处于从0到60的范围内。

8.如权利要求7所述的发光装置，其中所述缓冲层包括氮化铝、氮化镓或Al_xGa_1-xN，x值处于从0到1的范围内。

9.如权利要求1所述的发光装置，其中所述过渡层的每一个子层均包含有渐变成分，即过渡层中的每一个子层中的一个或多个元素的含量在该层中是可逐渐变化的。

10.如权利要求1所述的发光装置，其进一步包括与所述接触层电性相连的第一导电元件和与所述过渡层或n型层电性相连的第二导电元件，所述发光装置包括利用电子和空穴结合湮灭而形成质子的电激励过程中产生光的半导体光发射装置。