[发明专利]生长在W衬底上的AlN薄膜及其制备方法、应用在审
| 申请号： | 201410318610.6 | 申请日： | 2014-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN104143596A | 公开（公告）日： | 2014-11-12 |
| 发明（设计）人： | 李国强;刘作莲;王文樑;杨为家;林云昊;周仕忠;钱慧荣 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/00;H01L33/36 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人： | 陈文姬 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 生长 衬底 aln 薄膜 及其 制备 方法 应用 | ||
1.生长在W衬底上的AlN薄膜，其特征在于，包括由下至上依次排列的W衬底和AlN薄膜，所述AlN薄膜为在400～500℃下生长的AlN薄膜。
2.根据权利要求1所述的AlN薄膜，其特征在于，所述W衬底以(110)面为外延面。
3.根据权利要求1所述的AlN薄膜，其特征在于，所述AlN薄膜的厚度为250～300nm。
4.生长在W衬底上的AlN薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)衬底以及其晶向的选取：采用W衬底的(110)面为外延面，晶体外延取向关系：AlN[11-20]//W[001]；
(2)AlN薄膜外延生长：衬底温度为400～500℃，反应室压力为1～3×10-5Torr、Ⅴ/Ⅲ比为50～60、生长速度为0.4～0.6ML/s，衬底温度降至400～500℃，反应室压力为1～3×10-5Torr、Ⅴ/Ⅲ比为50～60、生长速度为0.4～0.6ML/s；用KrF准分子激光PLD烧蚀AlN靶材，在W衬底上外延生长AlN薄膜；在W衬底上外延生长AlN薄膜。
5.根据权利要求4所述的生长在W衬底上的AlN薄膜的制备方法，其特征在于，所述AlN薄膜的厚度250～300nm。
6.根据权利要求4所述的生长在W衬底上的AlN薄膜的制备方法，其特征在于，所述KrF准分子激光PLD的能量为1.3J/cm2，重复频率为30Hz，波长为248nm。
7.权利要求1所述生长在W衬底上的AlN薄膜的应用，其特征在于，用于制备LED、光电探测器和太阳能电池。
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