[发明专利]一种晶硅片式电容器的制备方法

说明书

本发明公开了一种晶硅片式电容器的制备方法，包括如下步骤：在晶硅片的上、下表面涂布含有金属粉体的树脂浆料；将80～120块涂布有所述树脂浆料的晶硅片叠加，于80～90℃下烘干，得到电容器前驱体；将所述电容器前驱体的侧面通过热喷涂的方法印刷上金属电极，得到晶硅片式电容器。本发明的优点在于，硅晶的半导体性能优异，电容器制备时基材加热温度较低，施工时间短、环保无污染。

技术领域

本发明属于半导体技术领域，特别涉及一种晶硅片式电容器的制备方法。

背景技术

片式电容具有容量大，体积小，容易片式化等特点，是当今移动通信设备、射频识别装置RFID以及全球定位系统中使用最多的元件之一。目前，片式电容器一般由陶瓷片制备而成，陶瓷电容器的生产方法，一般需要先制备陶瓷粉体，然后再制备陶瓷片，在制备陶瓷粉体时需要高温烧结，不仅能量消耗大，而且工艺复杂、成本较高。

发明内容

本发明的目的在于提供一种晶硅片式电容器的制备方法，以解决现有技术中存在的上述问题。

为实现上述发明目的，本发明的技术方案如下：

一种晶硅片式电容器的制备方法，包括如下步骤：

在晶硅片的上、下表面涂布含有金属粉体的树脂浆料；

将80～120块涂布有所述树脂浆料的晶硅片叠加，于80～90℃下烘干，得到电容器前驱体；

晶硅作为一种主要的半导体材料，其成本低、易切割、生产工艺方便控制、电迁移率高、使用频率高16GHZ、容量精度高、(可做到±1％或0.05PF)、损耗低0.1％等优势，是传统电容无法比拟的，是无线通讯、全球定位、滤波及网络匹配、射频识别、红外感应等设备首选的高精密高功率新材料片式电容器元件。

将所述电容器前驱体的侧面通过热喷涂或等离子喷涂的方法印刷上金属电极，得到晶硅片式电容器。

作为优选方案，所述晶硅片的厚度为0.5mm。

作为优选方案，所述金属粉体的粒径为1～10μm。

作为优选方案，所述树脂浆料包含按重量分数计的如下组分：

金属粉体：70～90％；

热固型树脂：5～15％；

有机溶剂：5～15％；

分散剂：0～1.5％。

作为优选方案，所述金属电极的厚度为0.1mm。

作为优选方案，所述热固型树脂包括醇酸树脂、溶剂型环氧酯树脂和有机硅树脂中的至少一种。

作为优选方案，所述分散剂为聚乙烯醇。

作为优选方案，所述热喷涂法包括如下步骤：

将所述电容器前驱体的侧面进行粗糙化至粗糙度为2.0～10umRa；

对粗糙化的电容器前驱体进行烘干；

以0.3～0.4MPa的喷涂压力，在60～120℃下热喷涂上一层金属电极。

作为优选方案，所述金属粉体包括银粉、铜粉和镍粉中的任意一种。

本发明的优点在于，硅晶的半导体性能优异，电容器制备时基材加热温度较低，施工时间短、环保无污染，晶硅作为一种主要的半导体材料，其成本低、易切割、生产工艺方便控制、电迁移率高、使用频率高16GHZ、容量精度高、(可做到±1％或0.05PF)、损耗低0.1％等优势，是传统电容无法比拟的，是无线通讯、全球定位、滤波及网络匹配、射频识别、红外感应等设备首选的高精密高功率新材料片式电容器元件。

具体实施方式