[发明专利]一种钕铁硼系烧结磁体的制造方法及其磁体

权利要求书

1.一种钕铁硼系烧结磁体的制造方法，其特征在于：包括混入添加物的工序，所述添加物为纳米钨或纳米碳化钨或纳米氮化钨或其组合，且其平均分散粒径为10～200nm，包括以下步骤：

1)通过甩带法制备钕铁硼铸片，且所述钕铁硼铸片的平均厚度控制为0.2～0.5mm；

2)将所述钕铁硼铸片粉碎制得钕铁硼粉末；

3)将所述钕铁硼粉末取向压制成型，制得钕铁硼压坯；

4)将所述钕铁硼压坯烧结制得钕铁硼磁体；

其中，在步骤1)的所述钕铁硼铸片或步骤2)的所述钕铁硼粉末中混入所述添加物，且其添加量为所述钕铁硼铸片或所述钕铁硼粉末质量的0.03～0.15wt％；

所述钕铁硼系烧结磁体包括如下的原料成分：

RaFe100-a-b-c-d-e-fBbCocAldCueMf；其中，a、b、c、d、e、f为各元素的重量百分比，28≤a≤32wt％，0.9≤b≤1.3wt％，0.5≤c≤3.0wt％，0.1≤d≤0.8wt％，0.05≤e≤0.5wt％，0.05≤f≤0.4wt％；R为含Y的稀土元素；M选自Ga或Nb的至少一种。

2.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于：当所述添加物为纳米钨时，其平均分散粒径为40～100nm；当所述添加物为纳米碳化钨时，其平均分散粒径为50～80nm；当所述添加物为纳米氮化钨时，其平均分散粒径为25～40nm。

3.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于：步骤1)的所述钕铁硼铸片还经热处理，其中，所述热处理的温度为400～900℃，处理时间为20min～3h。

4.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于：步骤2)的所述钕铁硼粉末的平均粒径控制为15μm以下、氧含量控制为2500ppm以下。

5.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于：步骤2)的所述钕铁硼粉末与所述添加物在高速混料机中进行混合，其中，混合环境为无氧气氛，混料机转速为1000～2000rpm，混合时间至少为30min。

6.如权利要求5所述的制造方法，其特征在于：所述的混合包括以下步骤：1)将所述添加物置于所述高速混料机混合5～10min；2)再加入所述钕铁硼粉末进行混合。

7.一种基于权利要求1的方法制造的钕铁硼系烧结磁体。

8.如权利要求7所述的钕铁硼系烧结磁体，其特征在于：所述磁体中富W相的体积比例为5.0～11.0％。