[发明专利]半导体光电元件及其制作方法

权利要求书

1.一种半导体光电元件的制作方法，包括：

提供一第一基板；

形成一牺牲层于该第一基板上；

形成一半导体外延叠层于该牺牲层上；

分隔该半导体外延叠层和该牺牲层为多个半导体外延叠层单元和多个牺牲层，且该多个半导体外延叠层单元与该多个牺牲层一一对应；

形成一图案化层，覆盖于该多个半导体外延叠层单元上，对于无需转移的该半导体外延叠层单元，以完全覆盖的方式包覆其下裸露的牺牲层的侧壁，对于需要转移的该半导体外延叠层单元，以部分覆盖的方式包覆其表面并裸露出其下的牺牲层的侧壁；

移除该需要转移的半导体外延叠层单元下方的该牺牲层；

以及

转移该需要转移的半导体外延叠层单元至一第二基板上。

2.如权利要求1所述的制作方法，其中在转移该需要转移的半导体外延叠层单元至该第二基板的步骤后，该无需转移的半导体外延叠层单元留于该第一基板上。

3.如权利要求1所述的制作方法，其中在转移该需要转移的半导体外延叠层单元至该第二基板的步骤后，去除附着于该需要转移的半导体外延叠层单元的该图案化层。

4.如权利要求1所述的制作方法，其中该图案化层包含光阻材料。

5.如权利要求1所述的制作方法，其中该第二基板具有突起相对应于该需要转移的半导体外延叠层单元。

6.如权利要求1所述的制作方法，还包括形成多个第一电极电性连结于该多个半导体外延叠层单元。

7.如权利要求6所述的制作方法，其中该多个半导体外延叠层单元与该多个第一电极隔开一距离。

8.如权利要求1所述的制作方法，还包括形成一粘着层接合该第二基板与该需要转移的半导体外延叠层单元。

9.如权利要求1所述的制作方法，还包括二次转移该需要转移的半导体外延叠层单元至一第三基板上。