[发明专利]LED芯片及提高LED芯片出光效率的方法

权利要求书

1.一种LED芯片，其特征在于，包括透明衬底以及形成于所述透明衬底上的外延层，所述外延层包括依次形成于所述透明衬底上的第一半导体层、发光层和第二半导体层，所述透明衬底的下表面与发光层之间形成有光反射结构，所述光反射结构包括形成于所述第一半导体层内部的多个光点，所述光点为一空腔，所述第一半导体层为GaN层，位于所述第一半导体层内部的空腔内还形成有Ga金属颗粒。

2.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于：所述光反射结构还包括形成于所述透明衬底内部的多个光点，所述光点为一空腔。

3.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于：所述第一半导体层内部的光点的宽度大于LED芯片的发光波长。

4.根据权利要求2所述的LED芯片，其特征在于：所述透明衬底内部的光点的宽度大于LED芯片的发光波长。

5.根据权利要求3或4所述的LED芯片，其特征在于：所述第一半导体层内部和透明衬底内部的光点的宽度为1～5μm，所述第一半导体层内部和透明衬底内部的相邻光点之间的间隔为0.1～2μm。

6.一种提高LED芯片出光效率的方法，其特征在于，包括步骤：

s1、在透明衬底上依次制作第一半导体层、发光层和第二半导体层，所述第一半导体层为GaN层；

s2、通过透明衬底一侧，通过激光聚焦的方法在第一半导体层上形成光反射结构，该光反射结构为多个空腔以及位于所述多个空腔内的Ga金属颗粒。

7.根据权利要求6所述的提高LED芯片出光效率的方法，其特征在于：所述透明衬底为蓝宝石衬底、ZnO衬底、碳化硅衬底、GaN衬底或透明玻璃。

8.根据权利要求6所述的提高LED芯片出光效率的方法，其特征在于步骤S2还包括在透明衬底内部形成光反射结构。