[发明专利]树脂片粘贴方法有效
| 申请号： | 201410320031.5 | 申请日： | 2014-07-07 |
| 公开（公告）号： | CN104282581B | 公开（公告）日： | 2019-02-15 |
| 发明（设计）人： | 荒井一尚 | 申请（专利权）人： | 株式会社迪思科 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 李辉;金玲 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 树脂 粘贴 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种树脂片粘贴方法，将树脂片粘贴到硅晶片，该树脂片粘贴方法的特征在于，包括：
低分子量化处理步骤，对树脂片的表面照射真空紫外线，在从树脂片的表面起至几十nm的深度范围内切断分子间键合，实施低分子量化处理来生成粘接力；以及
树脂片粘贴步骤，将仅实施了低分子量化处理后的树脂片的表面直接粘贴到硅晶片。
2.根据权利要求1所述的树脂片粘贴方法，其中，
该低分子量化处理通过准分子灯照射波长为200nm～10nm的真空紫外线。
3.根据权利要求1或2所述的树脂片粘贴方法，其中，
硅晶片在表面形成有多个器件，在该树脂片粘贴步骤中，在硅晶片的表面或背面粘贴树脂片的表面。
4.根据权利要求1或2所述的树脂片粘贴方法，其中，
硅晶片在表面具有形成了多个器件的器件区域和围绕该器件区域的外周剩余区域，在该低分子量化处理步骤中，仅对该树脂片的表面中的与硅晶片的外周剩余区域对应的区域实施低分子量化处理。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
