[发明专利]太阳能电池高散热性背电极材料制备及测试方法在审
申请号: | 201410321136.2 | 申请日: | 2014-07-07 |
公开(公告)号: | CN104157727A | 公开(公告)日: | 2014-11-19 |
发明(设计)人: | 宫泽吉辉;杜志攀 | 申请(专利权)人: | 肇庆东洋铝业有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0224 |
代理公司: | 广州三环专利代理有限公司 44202 | 代理人: | 张帅 |
地址: | 526238 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 太阳能电池 散热 电极 材料 制备 测试 方法 | ||
技术领域
本发明涉及太阳能电池技术领域,具体涉及太阳能电池高散热性背电极材料制备及测试方法。
背景技术
目前,现有的太阳能电池组件受到直射日光照射而发电,但同时会由于受照射而不断升温。发电效率又会受温度影响而变化,温度越高,发电效率越低。并且,为了维持太阳能电池组件有持续高发电效率,不受温度升高的影响,现有的方法是在组件表面用冷水降温,在组件上设置冷风机降温,或者使用白色背板来降低反射的方法来避免温度上升。
但是,对太阳能电池组件利用冷水或冷风机降温对于长期使用成本方面,构造以及设置方面诸有不利。利用白色背板来降低反射的方法在目前也不能完全解决组件升温的问题。
发明内容
本发明的目的就是针对目前上述对太阳能电池组件利用冷水或冷风机降温对于长期使用成本方面,构造以及设置方面诸有不利。利用白色背板来降低反射的方法在目前也不能完全解决组件升温的问题之不足,而提供太阳能电池高散热性背电极材料制备及测试方法。
本发明高散热性背电极材料为太阳能电池的硅片背面电极材料与陶瓷材质散热粉材料的混合材料,测试方法如下:
a)、将陶瓷材质散热粉材料添加到硅片背面电极材料中进行混合,并制成混合料;
b)、将混合料在单结晶硅片背面进行丝网印刷和烧结,形成太阳能电池片,并将4片太阳能电池片制作成组件;
c)、将组件放到户外接受阳光照射,一定时间后,对组件测试表面温度和发电效率。
陶瓷材质散热粉材料为AlN、SiO2、Al2O3中的一种或其任意组合的混合物。
本发明的优点是:本发明是利用在太阳能电池中的硅片背面电极材料中添加散热粉材料,而达到在受日光照射时可抑制散热,不受温度影响,维持高水平的发电效率。
具体实施方式
本发明高散热性背电极材料为太阳能电池的硅片背面电极材料与陶瓷材质散热粉材料的混合材料,测试方法如下:
a)、将陶瓷材质散热粉材料添加到硅片背面电极材料(即Alsolar电极材料,由东洋铝业株式会社制造)中进行混合,并制成混合料;
b)、将混合料在单结晶硅片背面进行丝网印刷和烧结,形成太阳能电池片,并将4片太阳能电池片制作成组件;
c)、将组件放到户外接受阳光照射,一定时间后,对组件测试表面温度和发电效率。
陶瓷材质散热粉材料为AlN、SiO2、Al2O3中的一种或其任意组合的混合物。
作为陶瓷材导热系数分别为 AlN:170W 、AL2O3:30W 、SiO2:1.5W。
表中的测试1-4是AlN,测试5-8是AL2O3,测试9-12是SiO2,分别按照不同比例的做的测试。
从各组数据可知导热系数越高的陶瓷材,表面温度越低。并且,散热粉材料的添加量越多,表面温度也越低。
但是,大部分的发电效率并没有由于温度的降低而增高。这是由于在太阳能电池片中,散热粉添加物是作为一种杂质,相反在其中有阻碍半导体化形成的不好的作用。
但是在测试数据中测试1,2的结果显示和比较对象相比发电效率有所提高,所以认为由于温度的降低反而提高了发电效率。
本发明是由于一定量的散热粉的添加,从而提高了发电效率。
在此基础,对散热粉添加物的各种组合进行了测试。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于肇庆东洋铝业有限公司,未经肇庆东洋铝业有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410321136.2/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:生长在W衬底上的LED外延片及制备方法
- 下一篇:太阳能电池
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的