[发明专利]一种存储器的制造方法

权利要求书

1.一种存储器的制造方法，包括：

在衬底上形成单元区多层结构和外围器件区多层结构；

对所述外围器件区多层结构进行处理以形成多晶硅栅和多晶硅栅侧墙；

在形成所述外围器件区的多晶硅栅和多晶硅栅侧墙后，蚀刻所述单元区的多层结构以形成控制栅；

在所述单元区和所述外围器件区上沉积侧墙层；

仅去除所述外围器件区中的多晶硅栅和源/漏区上的侧墙层；

在外围器件区中的多晶硅栅和源/漏区上形成金属硅化物，

其中，所述单元区侧墙直接充当金属硅化物阻挡氧化物。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，对外围器件区多层结构的处理还包括以下步骤中的至少一个：

在形成多晶硅栅后，对外围区域进行轻掺杂注入；

在形成多晶硅栅侧墙后，进行外围区域的源/漏区注入以形成外围区域的源/漏区。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在单元区中形成控制栅后，对单元区进行轻掺杂注入。

4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，在形成所述侧墙层后，对所述单元区进行源/漏区注入。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述单元区多层结构包括以下层中的一层或多层：隧道氧化物层、掺杂多晶硅层、氧化硅/氮化硅/氧化硅层、掺杂多晶硅层和氮化硅层。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述外围器件区多层结构包括以下层中的一层或多层：隧道氧化物层、掺杂多晶硅层、掺杂多晶硅层、氮化硅层。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，去除所述外围器件区中的多晶硅栅和源/漏区上的侧墙层包括以下步骤中的至少一个：

在单元区上形成保护结构，对外围器件区进行各向异性干法蚀刻，将顶面上的侧墙层的厚度蚀刻特定厚度；

去除单元区上的保护结构，进行湿法蚀刻，去除顶面上剩余的侧墙层。

8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述特定厚度为10至70埃。

9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在外围器件区中的多晶硅栅和源/漏区上形成金属硅化物包括以下步骤中的至少一个：

在晶片表面上沉积金属层；

对所述金属层进行低温快速退火以与外围器件区中的多晶硅栅和源/漏区中的硅反应形成金属硅化物；

对所述金属硅化物进行高温快速退火；以及

去除未发生反应的金属层。

10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，所述金属为镍。

11.一种存储器，包括通过权利要求1至10中的任一项所述方法制造结构。