[发明专利]晶体材料、该材料的制备方法及应用

权利要求书

1.一种晶体材料，其特征在于，该材料的化学组成为：

xBaSnO₃-yPbSnO₃-(1-x-y)PbTiO₃；

其中，0.15≤x≤0.34，0.2≤y≤0.45。

2.根据权利要求1所述的晶体材料，其特征在于，x＝0.2，y＝0.3。

3.权利要求1或2所述的晶体材料的制备方法，其特征在于，包括下列步骤：

(1)将晶体原料以及助熔剂进行称重，并进行混合、研磨，之后装入耐热器皿中；

其中，该晶体原料按照分子式

x’BaSnO₃-y’PbSnO₃-(1-x’-y’)PbTiO₃的化学计量比进行称重；

x-0.10<x’<x，y-0.10<y’<y；

(2)切籽晶，并将切好的籽晶绑在籽晶杆的一端；

(3)把耐热器皿放入加热炉中，籽晶杆固定在炉架上，调中，保证加热炉、耐热器皿、籽晶三者的中心在一条直线上，盖好炉盖；

(4)升温至1030-1130℃，恒温1.5-2.5d，之后下籽晶，调整温度找饱和点，找到饱和点对应温度后以1.5-3.5℃/d的速率降温，开始晶体生长；

(5)待温度降至930-1030℃，晶体尺寸达到(20-10)mm×(20-10)mm×(0.4-0.6)mm时，提起晶体，以匀速率冷却至室温，开炉取出晶体。

4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中的晶体原料包括BaCO₃、PbO、SnO₂和TiO₂。

5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中的助熔剂包括PbO和H₃BO₃，PbO和H₃BO₃的摩尔比为4:1-5:1；且助熔剂与晶体原料的摩尔比为4:1-5:1。

6.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(4)中，升温至1060-1080℃，恒温2d，之后下籽晶，调整温度找饱和点，找到饱和点对应温度后以2-3℃/d的速率降温，开始晶体生长。

7.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(5)中，待温度降至950-1000℃，晶体尺寸达到(20-10)mm×(20-10)mm×0.5mm时，提起晶体。

8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(5)中，以18-22℃/h匀速率冷却至室温，开炉取出晶体。

9.权利要求1或2所述的晶体材料在机电耦合领域的应用。