[发明专利]一种LED显示屏及其3D显示装置有效

专利信息
申请号: 201410322061.X 申请日: 2014-07-05
公开(公告)号: CN104064658B 公开(公告)日: 2017-11-17
发明(设计)人: 周雄图;张永爱;郭太良;叶芸;林志贤;姚剑敏;林金堂;林木飞;曾祥耀 申请(专利权)人: 福州大学
主分类号: H01L33/48 分类号: H01L33/48;H01L33/60;G09F9/33
代理公司: 福州元创专利商标代理有限公司35100 代理人: 蔡学俊
地址: 350108 福建省福州市*** 国省代码: 福建;35
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摘要:
搜索关键词: 一种 led 显示屏 及其 显示装置
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种LED显示屏及其3D显示装置,属于LED显示领域。

背景技术

量子点(Quantum Dots,QDs),又称纳米晶,当受到光或电的激发,便会发射不同波长荧光,即量子点不仅本身可以发光,还可以改变光源发出的光线颜色。通过控制量子点材料和尺寸,也可以调控量子点光致发光的波长,已被广泛应用于光电显示领域。如液晶显示器件的背光源中,将单色量子点作为液晶显示屏的背光模组的发光源,单色量子点在受到蓝光LED 激发后发出单色光与蓝光混合形成白色背景光,具有较大的色域,能提高画面品质,且提高背光的光源利用率。量子点LED 显示面板也是一种利用量子点实现彩色显示的显示面板。

LED即发光二极管,依靠电子与空穴复合时能辐射出可见光。LED显示技术已经得到了普遍的应用,LED显示技术具有高亮度、环保节能、响应速度快、耐冲击和性能稳定等优点,LED显示屏作为显示器、展示板、公告板等目的在需要大尺寸、高亮度的场合被广泛使用。传统LED显示屏一般采用半导体材料实现不同颜色的光,如磷砷化镓二极管发红光,磷化镓二极管发绿光,铟镓氮二极管发蓝光,三色LED进行混光,实现彩色显示。采用量子点替代半导体材料,即量子点发光二极管可改善显示色域,提高画面品质。量子点LED显示面板同样是利用三色量子点材料混光实现彩色显示。然而,三种量子点LED芯片由于材料不同,需分别制作三种不同材料发光层,不同发光材料相应的驱动电路系统参数和驱动方案各不相同,增加驱动复杂性,且显示不稳定。此外,由于每个LED都是属于点发光,观看时将会有较强刺眼的感觉。同时,根据传统LED屏制成的3D-LED显示装置, 由于LED封装边框的影响,莫尔条纹非常严重。

发明内容

针对LED显示屏及其3D显示装置存在的问题,本发明提供了一种LED显示屏及其3D显示装置,采用一种短波长(紫外或蓝光)激发量子点等光转换材料,实现彩色LED显示。

本发明的技术方案在于:

本发明涉及一种LED显示屏,其特征在于,包括:

(1)第一基板;

(2)与第一基板相对的第二基板;

(3)设置在第一基板上的紫外LED芯片阵列;

(4)根据像素分布,设置在第二基板上的图形化长波通滤光膜及黑色矩阵,所述长波通滤光膜能够透过可见光,并反射紫外光,所述黑色矩阵可以减少或防止各个像素之间不同颜色光干扰;

(5) 根据像素分布设置的图形化光转换材料层,所述光转换材料层指能吸收紫外光能量并且将该能量转换为红、绿、蓝可见光的材料;

(6)短波通滤光膜,设置于图形化光转换材料层与紫外LED芯片阵列之间,所述短波通滤光膜能够透过紫外LED芯片发出的紫外光,并反射光转换材料受激发出的可见光。

本发明还涉及另一种LED显示屏,其特征在于,还包括:

(1)第一基板;

(2)与第一基板相对的第二基板;

(3)设置在第一基板上的蓝光LED芯片阵列;

(4)根据像素分布,设置在第二基板上的图形化长波通滤光膜及黑色矩阵,所述长波通滤光膜能够透过波长长于蓝光的光,并反射蓝光,所述黑色矩阵可以减少或防止各个像素之间不同颜色光干扰;

(5)根据像素分布设置的图形化光转换材料层,所述光转换材料层指能吸收蓝光能量并且将该能量转换为红、绿可见光的材料;

(6)短波通滤光膜,设置于图形化光转换材料层与紫外LED芯片阵列之间,所述短波通滤光膜能够透过蓝光LED芯片发出的蓝光,并反射光转换材料受激发出的波长长于蓝光的光。

所述光转换材料为量子点、量子棒、量子阱、半导体荧光材料,或上述两种或以上混合物,包括单层结构或核壳结构。

所述光转换材料层为通过丝网印刷、喷墨打印、光刻刻蚀、3D打印方法将光装换材料图形化设置于一透明基片上形成的;不同尺寸的量子点、量子棒或量子阱,或不同结构成分的荧光材料在光照激发下,产生不同颜色可见光,在紫外LED芯片或蓝光LED芯片驱动电路的控制下,进行混合,形成鲜艳的显示色彩。

所述量子点尺寸为1nm~20nm,随着量子点尺寸增大,受激发出的光波长越长;所述量子棒直径为1nm~20nm,随着量子棒直径增大,受激发出的光波长越长,量子棒长度和直径比为1:1~50:1,随着长径比增大,受激发出的光偏振特性越强;所述量子阱每层厚度为0.1nm~10nm,周期为5~1000。

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