[发明专利]鳍式场效应晶体管的形成方法

权利要求书

1.一种鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底；

在所述衬底上形成鳍部；

在所述衬底上形成伪栅结构，所述伪栅结构横跨至少一个所述鳍部，并覆盖所述鳍部的侧壁与顶部；

在所述伪栅结构两侧的鳍部中形成源区和漏区；

利用金属卤化物和硅烷发生反应，在所述源区/漏区表面形成金属硅化物；

在形成所述金属硅化物之后，进行退火工艺。

2.如权利要求1所述的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，所述金属硅化物的厚度范围为

3.如权利要求1所述的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，采用化学气相沉积法或者原子层沉积法形成所述金属硅化物。

4.如权利要求3所述的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，形成所述金属硅化物的过程中，所述金属卤化物的流量范围为200sccm～400sccm，所述硅烷的流量范围400sccm～800sccm。

5.如权利要求3所述的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，形成所述金属硅化物的过程中，采用的反应压强为4Torr～6Torr，采用的功率为600w～700w。

6.如权利要求3所述的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，采用在400℃～500℃的温度范围形成所述金属硅化物。

7.如权利要求1所述的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，所述退火工艺采用的退火温度在800℃～1000℃。

8.如权利要求1所述的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，所述金属卤化物为金属氯化物。

9.如权利要求8所述的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，所述金属氯化物为氯化钛、氯化钽、氯化钯和氯化锶的至少其中之一。

10.如权利要求1所述的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，在形成所述金属硅化物之前，还包括：

形成介质层覆盖所述伪栅结构、源区和漏区，所述介质层上表面与所述伪栅结构上表面齐平；

去除所述伪栅结构，并在所述伪栅结构所在位置形成金属栅结构；

在形成所述金属栅结构之后，在所述介质层中形成凹槽以重新暴露所述源区和漏区；

在形成所述金属硅化物时，所述金属硅化物同时覆盖所述凹槽的内壁。

11.如权利要求1所述的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，在形成所述金属硅化物之后，且在对所述金属硅化物进行所述退火工艺之前，还包括：在所述金属硅化物上形成金属插塞的步骤。

12.如权利要求10所述的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，在形成所述金属硅化物之后，且在形成所述金属插塞之前，还包括：在所述金属硅化物表面形成帽盖层的步骤，所述金属插塞形成在所述帽盖层表面。