[发明专利]一种高调谐率BMNT薄膜材料的制备方法

权利要求书

1.一种高调谐率BMNT薄膜材料的制备方法，具有如下步骤：

(1)制备靶材

采用Bi₂O₃,MgO,Nb₂O₅和TiO₂，以传统的固相反应法，制备Bi_1.5Mg_0.5Nb_0.5Ti_1.5O₇简称BMNT陶瓷靶材；

(2)清洗基片

将表面附有电极的基片放入有机溶剂中超声清洗，用去离子水冲洗后在氮气流中干燥；

(3)制备薄膜

(a)将磁控溅射系统的本底真空抽至6.0×10^-6Torr，然后加热衬底至450℃；

(b)以高纯Ar和O₂作为溅射气体，Ar和O₂的流量比为4:1；溅射气压为10mTorr，溅射功率为150W，进行BMNT薄膜的沉积；薄膜的厚度为100～300nm，通过调节工艺参数或者沉积时间控制薄膜厚度。

(c)将步骤(b)得到的BMNT薄膜置于气氛炉中进行后退火处理，通入O₂，退火气压为0.02Mpa，退火温度为700℃，退火时间为10min；

(d)在步骤(c)退火后的BMNT薄膜上面利用掩膜版制备金属电极，并利用磁控溅射的方法镀上直径为0.2mm的Au电极。

2.根据权利要求1所述的一种高调谐率BMNT薄膜材料的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)的Bi₂O₃,，MgO，Nb₂O₅和TiO₂的纯度为99.99％的分析纯试剂。

3.根据权利要求1所述的一种高调谐率BMNT薄膜材料的制备方法，其特征在于，所述步骤(2)的基片为硅基片、氧化铝基片以及导电玻璃基片；所述电极为金或者铂；所述有机溶剂为丙酮或者酒精。

4.根据权利要求1所述的一种高调谐率薄膜材料BMNT的制备方法，其特征在于，所述步骤(3)(b)的氩气和氧气的纯度为99.99％。

5.根据权利要求1所述的一种高调谐率薄膜材料BMNT的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)的BMNT固相靶材的烧结温度为1080℃，烧结时间为6h。