[发明专利]存取快闪存储器中储存单元的方法以及使用该方法的装置

说明书

技术领域

本发明关连于一种快闪存储器装置，特别是一种存取快闪存储器中储存单元的方法以及使用该方法的装置。

背景技术

快闪存储器(flash memory)中的存储单元(memory cells)可能于多次的存取后失效。此外，亦可能于生产过程中，会因为粉尘或是光罩问题，使得储存单元中的一整列(column)的数据都无法正确存取。因此，本发明提出一种存取快闪存储单元的方法以及使用该方法的装置，用以保护快闪存储器中储存的数据。

发明内容

本发明的实施例提出一种存取快闪存储器中储存单元的方法，由处理单元执行，包含下列步骤。指示储存单元存取接口写入第n条字符线的数据至储存单元。于储存单元完成写入第n条字符线的数据后，指示储存单元存取接口写入第n-1条字符线的数据至储存单元。于储存单元完成写入第n-1条字符线的数据后，指示储存单元存取接口写入第n-2条字符线的数据至储存单元。其中，n大于2的整数。

本发明的实施例提出一种存取快闪存储器中的储存单元的装置，包含储存单元、储存单元存取接口以及处理单元。储存单元存取接口耦接于上述储存单元，而处理单元耦接于储存单元存取接口。处理单元指示储存单元存取接口写入第n条字符线的数据至储存单元。处理单元于储存单元完成写入第n条字符线的数据后，指示储存单元存取接口写入第n-1条字符线的数据至储存单元。处理单元于储存单元完成写入第n-1条字符线的数据后，指示储存单元存取接口写入第n-2条字符线的数据至储存单元。其中，n大于2的整数。

本发明的实施例另提出一种存取快闪存储器中储存单元的方法，由处理单元执行，包含下列步骤。通过处理单元存取接口接收到由电子装置发出的读取命令及读取地址后，判断关联于读取地址的值是否尚未稳定地储存于储存单元中。若是，指示存储器存取控制器从态随机存取存储器读取请求的值，并且通过处理单元存取接口回复给电子装置。

附图说明

图1是依据本发明实施例的快闪存储器中的储存单元示意图。

图2是依据本发明实施例的快闪存储器的系统架构示意图。

图3是依据本发明实施例的快闪存储器的存取接口示意图。

图4是依据本发明实施例的逻辑数据储存示意图。

图5A是依据本发明实施例应用于每一区段的数据储存示意图。

图5B是依据本发明实施例的二维错误修正码示意图。

图6是依据本发明实施例的用以执行写入作业的系统方块图。

图7A及图7B是依据本发明实施例的执行于处理单元中的数据写入方法流程图。

图8是依据本发明实施例的执行于储存单元存取接口中的数据写入方法流程图。

图9是依据本发明实施例的用以执行读取作业的系统方块图。

图10是依据本发明实施例的执行于区段解码单元中的数据读取方法流程图。

图11是依据本发明实施例的执行于处理单元中的数据读取方法流程图。

图12是依据本发明实施例的用以执行写入作业的系统方块图。

图13是依据本发明实施例的一个储存单元中的三层式单元区块的示意图。

图14是依据本发明实施例的执行于处理单元中的写入方法流程图。

图15是依据本发明实施例的执行于处理单元中的写入方法流程图。

图16A是依据本发明实施例的众多单层式单元的临界电压分布示意图。

图16B是依据本发明实施例的众多多层式单元的临界电压分布示意图。

图16C是依据本发明实施例的众多三层式单元的临界电压分布示意图。

图17A至图17C是显示依据本发明实施例的经三次写入操作后的一个字符线上的众多单层式单元的临界电压分布示意图。

图18A是依据本发明实施例的使用RS(48,45)垂直错误修正码的独立磁盘冗余阵列群组的数据摆放示意图。

图18B是依据本发明实施例的使用RS(96,93)垂直错误修正码的独立磁盘冗余阵列群组的数据摆放示意图。

图19A至图19B是依据本发明实施例的数据写入时序图。

图20A至图20D是依据本发明实施例的执行于处理单元中的写入数据方法流程图。

图21是依据本发明实施例的字符线写入顺序示意图。

【附图标记说明】

10                         储存单元；