[发明专利]在FinFET中形成鳍状物的方法有效
| 申请号： | 201410323256.6 | 申请日： | 2014-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN105448719B | 公开（公告）日： | 2018-12-07 |
| 发明（设计）人： | 禹国宾 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陆勍 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | finfet 形成 鳍状物 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种在FinFET中形成鳍状物的方法，其特征在于，包括：
a.提供一衬底，在所述衬底上形成一介质层；
b.图案化并蚀刻所述介质层，以形成在所述衬底上彼此分开的多个侧壁以及相邻两个侧壁之间的至少一个沟槽；
c.在所述沟槽中交错形成第一外延材料和第二外延材料，以构成依次交错的多个第一外延层和多个第二外延层；
d.去除所述多个侧壁；以及
e.选择性地蚀刻所述第一外延材料，以去除所述第一外延层的两侧部分而仅保留所述第一外延层的中间部分。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述衬底是硅衬底，且所述介质层的材料是SiN、SiO2、SiON或者无定形碳。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一外延材料是SiGe，所述第二外延材料是Si，且所述构成依次交错的多个第一外延层和多个第二外延层的步骤包括：将SiGe外延生长的步骤和Si外延生长的步骤交错执行若干次。
4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，选择性地蚀刻所述第一外延材料的步骤包括：将HCl、HBr或CF4中的至少一种作为蚀刻剂来蚀刻所述SiGe。
5.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述SiGe中的Si与Ge的原子比在10:1至1:10之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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