[发明专利]一种阵列基板及制备方法、触控显示装置有效
申请号: | 201410323275.9 | 申请日: | 2014-07-08 |
公开(公告)号: | CN104103647A | 公开(公告)日: | 2014-10-15 |
发明(设计)人: | 郑丹;朱海波;路林林;段建民;金景鲜;宫洪友;翟雨雷 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L29/423;H01L21/77 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 阵列 制备 方法 显示装置 | ||
1.一种阵列基板,包括显示区域和周边区域,所述显示区域包括设置在衬底基板上的多个薄膜晶体管、与所述薄膜晶体管的漏极电连接的第一透明电极、第二透明电极;其特征在于,还包括:与所述第二透明电极接触的透明绝缘层;
所述透明绝缘层的材料为复合材料,在作用于所述透明绝缘层的电压大于预设电压的情况下,所述透明绝缘层为导体,在作用于所述透明绝缘层的电压小于所述预设电压的情况下,所述透明绝缘层为绝缘体;
其中,所述第二透明电极包括沿第一方向排成多排的第一子电极、以及沿第二方向排成多排的第二子电极;
不同排所述第一子电极之间相互绝缘,不同排所述第二子电极之间相互绝缘,且所述第一子电极和所述第二子电极相互绝缘;
所述第一方向和所述第二方向相交。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述透明绝缘层延伸到所述周边区域;
位于所述周边区域的所述透明绝缘层与接地的第一金属线接触。
3.根据权利要求1或2所述的阵列基板,其特征在于,所述复合材料为包含有碳纳米管的复合材料或包含有石墨烯的复合材料。
4.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,
沿第一方向位于每排的所述第一子电极包括多个相互绝缘的第一子电极片段,沿第二方向位于每排的所述第二子电极为一个直接电连接的整体;其中,位于每排的任意相邻的两个所述第一子电极片段被一排所述第二子电极隔开;
所述阵列基板还包括用于连接每排的所述第一子电极片段的第二金属线。
5.根据权利要求4所述的阵列基板,其特征在于,所述第一方向和第二方向垂直。
6.根据权利要求5所述的阵列基板,其特征在于,在所述第一方向与栅线同方向的情况下,所述第二金属线与所述栅线同层设置;
在所述第一方向与数据线同方向的情况下,所述第二金属线与所述数据线同层设置。
7.一种阵列基板的制备方法,所述阵列基板包括显示区域和周边区域,所述方法包括:在显示区域形成位于衬底基板上的多个薄膜晶体管、与所述薄膜晶体管的漏极电连接的第一透明电极、第二透明电极;其特征在于,所述方法还包括:形成与所述第二透明电极接触的透明绝缘层;
所述透明绝缘层的材料为复合材料,在作用于所述透明绝缘层的电压大于预设电压的情况下,所述透明绝缘层为导体,在作用于所述透明绝缘层的电压小于所述预设电压的情况下,所述透明绝缘层为绝缘体;
其中,所述第二透明电极包括沿第一方向排成多排的第一子电极、以及沿第二方向排成多排的第二子电极;
不同排所述第一子电极之间相互绝缘,不同排所述第二子电极之间相互绝缘,且所述第一子电极和所述第二子电极相互绝缘;
所述第一方向和所述第二方向相交。
8.根据权利要求7所述的方法,其特征在于,形成所述透明绝缘层包括:在所述显示区域和所述周边区域均形成所述透明绝缘层;
所述方法还包括:在周边区域形成与所述透明绝缘层接触的第一金属线;其中,所述第一金属线接地。
9.根据权利要求7或8所述的方法,其特征在于,所述复合材料为包含有碳纳米管的复合材料或包含有石墨烯的复合材料。
10.一种触控显示装置,其特征在于,包括权利要求1至6任一项所述的阵列基板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的