[发明专利]一种复位电路及电路复位方法有效
申请号: | 201410323459.5 | 申请日: | 2014-07-08 |
公开(公告)号: | CN105306027B | 公开(公告)日: | 2018-09-25 |
发明(设计)人: | 王晋雄;郝先人;原义栋;王红凯;洪建光;龚小刚;夏威 | 申请(专利权)人: | 国家电网公司;北京南瑞智芯微电子科技有限公司;国网甘肃省电力公司;国网甘肃省电力公司电力科学研究院;国网浙江省电力公司信息通信分公司 |
主分类号: | H03K17/22 | 分类号: | H03K17/22 |
代理公司: | 北京中誉威圣知识产权代理有限公司 11279 | 代理人: | 郭振兴;王正茂 |
地址: | 100031 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 复位 电路 方法 | ||
本发明公开了一种复位电路及电路复位方法。其中复位电路包括电流源,所述电流源提供与电源电压无关的参考电流源;第一电流镜,所述第一电流镜与所述电流源连接,为电路中各支路提供基准电流;第二电流镜,所述第二电流镜与所述第一电流镜连接,作为第一电流镜的负载;整形电路,所述整形电路与所述第二电流镜连接,为所述第二电流镜的输出电流整形以形成复位信号。该电路主要用于降低复位电路的功耗同时提高复位精度。
技术领域
本发明涉及电子电路技术领域,特别涉及一种复位电路及电路复位方法。
背景技术
复位电路的作用有两个,其一是上电时当电源已经达到正常工作所需电位时,该电路产生整个芯片的复位信号;其二,当电源电压降低到一定水平时,该电路可以使整个芯片进行复位,防止出现错误翻转。因为当电源电压较低,但又高于逻辑低电平时,数字电路的逻辑门会发生非正常的参差不齐的翻转从而造成整个数字电路逻辑混乱。特别地涉及到存储器的写操作时,错误的数字电路动作可能会引起数据安全等问题。
目前常用的同时具备上电复位和下电复位电路方案其原理均一样,即由电源电压产生一个相关检测电压,然后通过比较器判断该检测电压与参考电压来产生复位信号,参考电压产生电路可以是带隙基准电路也可以是晶体管的阈值电压。如图1所示,上电时,电阻R1和R2分压得到与电源电压相关的检测电压VA,参考电压产生电路产生一个带隙基准电压VB,比较器A1对VA和VB进行判断,经过整形电路D1后产生复位信号RST。但是,图1所示的复位电路存在以下问题:1、检测电压产生电路电阻面积太大;2、参考电压产生电路功耗大,而且随着电源电压的增加,电阻R1和R2通路的电流消耗也会增加,无法满足低功耗应用;3、参考电压产生电路只有在电源上电到一定值时才会工作,因而也无法应用于低电压环境中。
为了解决图1中复位电路的上述问题,出现了图2所示的复位电路,检测电压电路由MOS管取代,解决了面积大的问题,同时参考电压电路采用晶体管的阈值电压,降低了整个电路功耗。但是这种复位电路在电源电压达到正常电压后,由PMOS MP1和NMOS MN1构成的支路一致导通,仍然存在大的静态电流,而且上电复位点和下电复位点完全由MP1、MN1构成的支路的电流和MN2的阈值决定,受工艺、温度和电源电压影响大,不同工艺角和温度下,上电复位点和下电复位点离散度大。
通过对以上现有技术的研究和实际电路应用环境的考虑,很容易发现现有技术存在以下缺点:(1)、采集电源电压的电阻串面积太大,而且功耗随电源电压的增大而增加。(2)、带隙基准电路静态功耗过大,且电源上电的过程中,带隙基准电压电路在一定的电源电压时才能建立好,无法应用于低电源电压环境中。(3)、复位信号的复位点随工艺、温度变化较大。本专利针对以上的技术缺点提出了相应的解决方案。
发明内容
为了解决现有技术的复位电路中,功耗大、面积大,且工艺和温度对上电复位点和下电复位点影响很大的技术问题,本发明提出一种复位电路及电路复位方法。
一种复位电路,包括:
电流源,电流源提供与电源电压无关的参考电流源;
第一电流镜,第一电流镜与电流源连接,为电路中各支路提供基准电流;
第二电流镜,第二电流镜与第一电流镜连接,作为第一电流镜的负载;
整形电路,整形电路与第二电流镜连接,为第二电流镜的输出电流整形以形成复位信号。
优选地,该方案还可包括:
电源电压,与电流源、第二电流镜和整形电路分别连接;
耦合电容,与电源电压连接,提供电源电压到复位信号所在的复位点的耦合通路。
其中,第一电流镜由三个N沟道MOS管MN0,MN1和MN2组成;
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于国家电网公司;北京南瑞智芯微电子科技有限公司;国网甘肃省电力公司;国网甘肃省电力公司电力科学研究院;国网浙江省电力公司信息通信分公司,未经国家电网公司;北京南瑞智芯微电子科技有限公司;国网甘肃省电力公司;国网甘肃省电力公司电力科学研究院;国网浙江省电力公司信息通信分公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410323459.5/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。