[发明专利]一种高调谐压控透明氧化镍薄膜电容器的制备方法

权利要求书

1.一种高调谐压控透明氧化镍薄膜电容器的制备方法，具有如下步骤：

(1)清洗基片

将表面附有电极的透明导电玻璃基片放入有机溶剂中超声清洗，用去离子水冲洗后在氮气流中进行干燥；

(2)制备NiO薄膜

(a)将步骤(1)干燥后的导电玻璃基片放入磁控溅射样品台上，将金属Ni靶材装置在相应的射频溅射靶上，再将磁控溅射系统的本底真空抽至6.0×10^-6Torr，然后加热导电玻璃基片至600℃；

(b)以高纯Ar和O₂作为溅射气体，溅射气压为10mTorr，溅射功率为150W，进行溅射沉积得到NiO薄膜；

(c)将步骤(b)得到的NiO薄膜置于气氛炉中进行后退火处理，通入纯度为99％的O₂，退火气压为0.02Mpa；

(3)制备顶电极

(a)将步骤(2)(c)退火后的NiO薄膜放入磁控溅射样品台上，将ITO靶材装置在相应的射频溅射靶上，然后将磁控溅射的本底真空抽至6.0×10^-6Torr，加热衬底至600℃；

(b)以高纯Ar和O₂作为溅射气体，溅射气压为10mTorr，溅射功率为200W，溅射沉积ITO薄膜顶电极；制得高调谐压控透明氧化镍薄膜电容器。

2.根据权利要求1所述的一种高调谐压控透明氧化镍薄膜电容器的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)的基片为FTO导电玻璃基片或者ITO导电玻璃基片，其表面附有电极。

3.根据权利要求2所述的一种高调谐压控透明氧化镍薄膜电容器的制备方法，其特征在于，所述FTO导电玻璃的表面附有掺氟氧化铟的电极，ITO导电玻璃的表面附有掺铟氧化锡的电极。

4.根据权利要求1所述的一种高调谐压控透明氧化镍薄膜电容器的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)的有机溶剂为丙酮或者酒精。

5.根据权利要求1所述的一种高调谐压控透明氧化镍薄膜电容器的制备方法，其特征在于，所述步骤(2)(a)的金属Ni靶材与步骤(3)(b)的ITO靶材的纯度大于99.99％。

6.根据权利要求1所述的一种高调谐压控透明氧化镍薄膜电容器的制备方法，其特征在于，所述步骤(2)(b)与步骤(3)(b)的氩气和氧气的纯度为99.99％。

7.根据权利要求1所述的一种高调谐压控透明氧化镍薄膜电容器的制备方法，其特征在于，所述步骤(2)(c)的后退火温度为500-700℃，退火时间为10min。