[发明专利]基板传送装置及适用于湿制程的强酸或强碱刻蚀工艺

权利要求书

1.一种基板传送装置，其特征在于，包括：设于刻蚀腔室(1)内的数个相互平行的第一传送滚轮(2)、设于清洗腔室(3)内的数个相互平行的第二传送滚轮(4)、及一用于承载基板(100)的承载件(5)；所述承载件(5)包括沿基板(100)的传送方向设置的两第一边框(51)、连接于该两第一边框(51)末端的两第二边框(53)、设于所述两第一边框(51)与两第二边框(53)所围区域内的相互垂直交错的数个第一连接部(55)与数个第二连接部(57)、及设于所述数个第一连接部(55)与数个第二连接部(57)交点处的数个支柱(59)；所述数个第一连接部(55)与第二连接部(57)相互垂直交错形成数个镂空部(52)；所述基板(100)放置于所述承载件(5)上；

所述两第一边框(51)、两第二边框(53)与数个支柱(59)的高度相等；所述基板(100)放置于所述两第一边框(51)、两第二边框(53)与数个支柱(59)上；

还包括设于清洗腔室(3)内的数个相互平行的升降滚轮(9)；每一升降滚轮(9)的尺寸小于所述第二传送滚轮(4)的尺寸；当相对升起所述升降滚轮(9)时，其穿过所述承载件(5)的镂空部(52)顶起并传送所述基板(100)。

2.如权利要求1所述的基板传送装置，其特征在于，所述两第一边框(51)具有设于其末端边缘的凸柱(54)，所述凸柱(54)的数量为四个，所述凸柱(54)关于承载件(5)的中心对称，所述凸柱(54)用于定位基板(100)。

3.如权利要求1所述的基板传送装置，其特征在于，所述两第一边框(51)与两第二边框(53)的高度为5～10cm。

4.如权利要求3所述的基板传送装置，其特征在于，所述两第一边框(51)与两第二边框(53)均相对于其高度方向向内倾斜15～30°。

5.如权利要求1所述的基板传送装置，其特征在于，所述承载件(5)由聚四氟乙烯PTFE制成。

6.如权利要求1所述的基板传送装置，其特征在于，还包括支撑架(7)，该支撑架(7)包括数个与所述第一边框(51)平行的第一支撑板(71)及垂直连接于该数个第一支撑板(71)的数个第二支撑板(73)；所述支撑架(7)放置于所述数个第一传送滚轮(2)与数个第二传送滚轮(4)上，所述承载件(5)放置于所述支撑架(7)上；所述支撑架(7)由聚四氟乙烯PTFE制成。

7.如权利要求1所述的基板传送装置，其特征在于，所述数个支柱(59)的横截面形状为矩形。

8.一种适用于湿制程的强酸或强碱刻蚀工艺，其特征在于，包括如下步骤：

步骤1、将基板(100)放置于承载件(5)上；

步骤2、将载有基板(100)的承载件(5)放置于支撑架(7)上；

步骤3、将载有承载件(5)与基板(100)的支撑架(7)放置于第一传送滚轮(2)上，第一传送滚轮(2)将支撑架(7)传送至刻蚀腔室(1)；

步骤4、使用强酸或强碱刻蚀药液对基板(100)进行湿法刻蚀；

步骤5、第一与第二传送滚轮(2、4)将支撑架(7)传送至清洗腔室(3)；

步骤6、对基板(100)的正面与背面进行清洗；

步骤7、第二传送滚轮(4)下降，升降滚轮(9)相对升起，升降滚轮(9)穿过所述承载件(5)的镂空部(52)顶起并传送基板(100)，将所述基板(100)传送至下一制程腔室。