[发明专利]配线基板及制造方法，部件嵌入式玻璃基板及制造方法有效
| 申请号： | 201410325675.3 | 申请日： | 2014-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN104299916B | 公开（公告）日： | 2019-03-08 |
| 发明（设计）人： | 御手洗俊;柳川周作;六波罗真仁;冈修一 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L23/498;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 焦玉恒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 配线基板 制造 方法 部件 嵌入式 玻璃 | ||
1.一种配线基板的制造方法，该配线基板具有包括贯通玻璃通路的配线且该配线基板由玻璃基板形成，该方法包括：
形成穿透该配线基板且被图案化的变化层；
将蚀刻停止层至少形成在作为过孔形成部分的变化层上；
将配线形成在已形成有该变化层和该蚀刻停止层的该配线基板的前表面上；以及
将电极材料填充在通过移除该变化层而形成的孔中，由此形成该贯通玻璃通路，该贯通玻璃通路连接该配线基板的前表面上的配线与该配线基板的背表面侧的配线。
2.根据权利要求1的配线基板的制造方法，其中
该玻璃基板由光敏玻璃形成，图案化的该变化层能够通过经由掩模的曝光和热处理形成。
3.根据权利要求1的配线基板的制造方法，其中
该玻璃基板由非光敏玻璃形成，通过经由掩模的曝光和热处理，图案化的该变化层形成于该玻璃基板。
4.根据权利要求1的配线基板的制造方法，其中
图案化的该变化层通过聚集的激光脉冲照射而形成。
5.根据权利要求1的配线基板的制造方法，其中
图案化的该变化层通过使用对该玻璃基板具有选择性的化学药液来移除。
6.根据权利要求1的配线基板的制造方法，其中
该配线基板除该贯通玻璃通路和该配线之外还包括有源元件。
7.根据权利要求6的配线基板的制造方法，其中
图案化的该变化层的热膨胀系数与除该变化层之外的非变化层的热膨胀系数之间的差异小于约5ppm/℃。
8.一种配线基板，该配线基板由根据权利要求1的配线基板的制造方法制造。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
