[发明专利]半导体结构的形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底；

在所述衬底表面形成无定形碳层，且所述无定形碳顶部表面具有结晶源；

采用双氧水溶液对所述无定形碳层顶部表面进行氧化处理，氧化去除所述结晶源；

形成所述无定形碳层的方法为：向反应腔室内通入气体状态的碳氢化合物，所述碳氢化合物在加热条件下热分解形成无定形碳层；

其中，所述碳氢化合物溶解在有机溶剂中，向溶解有碳氢化合物的有机溶剂施加压强作用，向反应腔室内通入气体状态的碳氢化合物，且有机溶剂以气体状态进入反应腔室内。

2.如权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述碳氢化合物为乙炔、乙烯、丙烯、丙炔、丙烷、丁烯、丁烷或丁二烯。

3.如权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述有机溶剂为丙酮、乙醇或苯。

4.如权利要求2所述半导体结构的形成方法，其特征在于，采用化学气相沉积工艺、物理气相沉积或原子层沉积工艺形成所述无定形碳层。

5.如权利要求4所述半导体结构的形成方法，其特征在于，采用化学气相沉积工艺形成所述无定形碳层的工艺参数为：反应气体包括碳氢化合物，其中，碳氢化合物为C₂H₂、C₂H₄或C₃H₆，还向反应腔室内通过惰性气体，其中，惰性气体为He或Ar，碳氢化合物流量为50sccm至500sccm，惰性气体流量为20sccm至200sccm，反应腔室温度为400度至600度，反应腔室压强为1托至50托。

6.如权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述双氧水溶液中，溶液温度为25度至40度，溶液中过氧化氢的质量百分比为15％至30％。

7.如权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，将所述无定形碳层浸泡在双氧水溶液中，以进行氧化处理。

8.如权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述无定形碳层表面喷洒双氧水溶液，以进行氧化处理。

9.如权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述氧化处理后，还包括步骤：采用去离子水对无定形碳层表面进行清洗处理。

10.如权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括步骤：在所述无定形碳层表面形成钝化层。

11.如权利要求10所述半导体结构的形成方法，其特征在于，采用含硅气体轰击所述无定形碳层表面，在无定形碳层表面形成钝化层。

12.如权利要求11所述半导体结构的形成方法，其特征在于，采用含硅气体轰击所述无定形碳层表面的工艺参数为：含硅气体为SiH₄，SiH₄气体流量为10sccm至200sccm，射频低频功率为100瓦至1500瓦，射频高频功率为100瓦至1500瓦，反应腔室压强为10毫托至50毫托，反应腔室温度为450度至600度。

13.如权利要求11所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述钝化层的材料为碳化硅。

14.如权利要求11所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述钝化层的厚度为10埃至50埃。