[发明专利]硼磷硅玻璃介电层的制备方法、半导体器件及电子装置在审
| 申请号： | 201410325956.9 | 申请日： | 2014-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN105448706A | 公开（公告）日： | 2016-03-30 |
| 发明（设计）人： | 李立春 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/316 | 分类号： | H01L21/316;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 硼磷硅 玻璃 介电层 制备 方法 半导体器件 电子 装置 | ||
【权利要求书】：
1.一种硼磷硅玻璃介电层的制备方法，所述方法包括预沉积步骤和主沉积步骤，
其中，所述预沉积步骤中磷源的流量小于所述主沉积步骤中磷源的流量，以降低制备得到的硼磷硅玻璃介电层中磷的含量。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述预沉积步骤制备得到的所述硼磷硅玻璃介电层中磷的含量比所述主沉积步骤制备得到的硼磷硅玻璃介电层中磷的含量低10％-15％。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述预沉积步骤的时间小于所述主沉积步骤的时间。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述预沉积步骤的时间在所述主沉积步骤的时间的10％以内。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述预沉积步骤的时间在10s以内。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，选用三乙基磷酸盐作为所述磷源。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法中选用四乙基正硅酸盐作为硅源，选用三乙基硼酸盐作为硼源。
8.一种半导体器件，包括如权利要求1至7之一所述的方法制备得到的硼磷硅玻璃介电层。
9.一种电子装置，包括权利要求8所述的半导体器件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
