[发明专利]基于矢量合成双射流激励器的电子元件及其散热方法在审
申请号: | 201410326709.0 | 申请日: | 2014-07-10 |
公开(公告)号: | CN104168743A | 公开(公告)日: | 2014-11-26 |
发明(设计)人: | 罗振兵;夏智勋;李玉杰;邓雄 | 申请(专利权)人: | 中国人民解放军国防科学技术大学 |
主分类号: | H05K7/20 | 分类号: | H05K7/20 |
代理公司: | 湖南兆弘专利事务所 43008 | 代理人: | 赵洪;钟声 |
地址: | 410073 湖南省长沙市德雅路109*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基于 矢量 成双 射流 激励 电子元件 及其 散热 方法 | ||
1.一种基于矢量合成双射流激励器的电子元件,包括电子元件本体(1),其特征在于:还包括合成双射流激励器(2),所述合成双射流激励器(2)设有两出口,且两出口输出气流的速度比可调,所述合成双射流激励器(2)的两出口朝向所述电子元件本体(1),并输出合成射流(3)对所述电子元件本体(1)进行冷却。
2.根据权利要求1所述的一种基于矢量合成双射流激励器的电子元件,其特征在于:所述合成双射流激励器(2)设有多个,且于电子元件本体(1)相对的区域均匀分布。
3.根据权利要求1或2所述的一种基于矢量合成双射流激励器的电子元件,其特征在于:所述合成双射流激励器(2)包括一腔室,所述腔室被一振动膜(23)分隔形成第一腔体(21)和第二腔体(22)。
4.根据权利要求3所述的一种基于矢量合成双射流激励器的电子元件,其特征在于:所述两出口包括对应开设于第一腔体(21)和第二腔体(22)上的第一出口(211)和第二出口(221),所述第一出口(211)和第二出口(221)之间设有调流滑块(24),所述调流滑块(24)可在所述第一出口(211)和第二出口(221)之间滑动以改变第一出口(211)和第二出口(221)的面积比。
5.一种如权利要求1所述的基于矢量合成双射流激励器的电子元件的散热方法,其特征在于:包括以下步骤:
S1:启动所述合成双射流激励器(2);
S2:周期性地改变两出口输出气流的速度比,对所述电子元件本体(1)整体进行散热;或调整两出口输出气流的速度比至定值,对所述电子元件本体(1)局部进行持续散热。
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