[发明专利]具有源极向下和感测配置的半导体裸片和封装体

权利要求书

1.一种半导体裸片，包括：

半导体主体；

晶体管器件，布置在所述半导体主体中并且具有栅极、源极和漏极；

感测器件，布置在所述半导体主体中并且可操作用于感测与所述晶体管器件相关联的参数；

源极焊盘，在所述半导体主体的第一侧处并且电连接到所述晶体管器件的所述源极；

漏极焊盘，在所述半导体主体的与所述第一侧相对的第二侧处并且电连接到所述晶体管器件的所述漏极；

感测焊盘，在所述半导体主体的第二侧处并且与所述漏极焊盘间隔开，所述感测焊盘电连接到所述感测器件；以及

栅极焊盘，在所述半导体主体的所述第一侧或所述第二侧之一处，并且所述栅极焊盘电连接到所述晶体管器件的所述栅极，如果所述栅极焊盘被布置所述第二侧处则所述栅极焊盘与所述感测焊盘和所述漏极焊盘间隔开，如果所述栅极焊盘被布置在所述第一侧处则所述栅极焊盘与所述源极焊盘间隔开。

2.根据权利要求1所述的半导体裸片，进一步包括第一导电过孔，所述第一导电过孔从所述第一侧延伸到所述半导体主体中并且通过所述半导体主体的高掺杂区域与所述感测焊盘间隔开，其中所述感测焊盘通过所述第一导电过孔和插入在所述第一导电过孔和所述感测焊盘之间的所述半导体主体的高掺杂区域电连接到所述感测器件。

3.根据权利要求2所述的半导体裸片，进一步包括至少一个附加导电过孔，所述至少一个附加导电过孔从所述第一侧延伸通过所述半导体主体到所述第二侧并与所述第一导电过孔间隔开。

4.根据权利要求3所述的半导体裸片，其中所述感测焊盘接触在所述半导体主体的第二侧处的所述至少一个附加导电过孔。

5.根据权利要求3所述的半导体裸片，其中所述感测焊盘与在所述半导体主体的第二侧处的所述至少一个附加导电过孔绝缘。

6.根据权利要求2所述的半导体裸片，进一步包括：

绝缘层，在所述半导体主体的所述第一侧上；

金属层，在所述绝缘层上；以及

导电过孔，延伸通过所述绝缘层并将所述金属层电连接到所述第一导电过孔。

7.根据权利要求6所述的半导体裸片，其中所述源极焊盘连接到所述金属层并且所述感测器件可操作用于感测所述晶体管器件的源极处的电流。

8.根据权利要求2所述的半导体裸片，其中所述半导体主体包括硅并且所述第一导电过孔包括多晶硅或金属。

9.根据权利要求1所述的半导体裸片，其中所述晶体管器件是垂直晶体管器件，所述源极布置在所述半导体主体的第一侧处，所述漏极布置在所述半导体主体的第二侧处，所述源极焊盘连接到所述半导体主体的所述第一侧处的所述源极，并且所述漏极焊盘连接到所述半导体主体的所述第二侧处的所述漏极。

10.根据权利要求1所述的半导体裸片，进一步包括附加感测焊盘，所述附加感测焊盘在所述半导体主体的第二侧处并且与另一感测焊盘和所述漏极焊盘间隔开，所述附加感测焊盘电连接到所述晶体管器件的所述源极。

11.根据权利要求10所述的半导体裸片，进一步包括导电过孔，所述导电过孔从所述第一侧延伸到所述半导体主体中并且通过所述半导体主体的高掺杂区域与所述附加感测焊盘间隔开，其中所述附加感测焊盘通过所述导电过孔和插入在所述导电过孔和所述附加感测焊盘之间的所述半导体主体的所述高掺杂区域电连接到所述晶体管器件的所述源极。