[发明专利]一种适合于大功率LED照明驱动电路应用的多芯片QFN封装

说明书

技术领域

本发明涉及半导体器件的封装技术领域，尤其涉及一种多芯片QFN封装结构。

背景技术

随着LED照明普及到百姓家庭中，对于LED的便携性要求越来越重视，本发明的QFN封装结构能够极大的减小LED照明系统的体积。

随着产品的越做越小越精致，芯片产生的热量如何散发出去就变为一个不得不考虑的问题。现在的技术中，虽然可以通过提升制程能力来降低电压等方式来减小发热量，但是仍然不能避免发热密度增加的趋势。散热问题不解决，会使得芯片过热而影响到产品的可靠性，严重地会缩短产品寿命甚至造成产品损害。

此外，实现各个功能的芯片需要封装，现有技术中，QFN封装结构是一种方形扁平无引脚的半导体芯片封装结构。由于QFN封装不像传统的SOIC与TSOP封装那样具有鸥翼状引线，内部引脚与焊盘之间的导电路径短，自感系数以及封装体内布线电阻很低，所以它能提供卓越的电性能。

在封装形式固定的情况下，为使得产品散热满足要求，产品设计时只能靠牺牲性能来实现，以现在需求很大的快速充电为例，300mA的充电电流，功耗接近1.5W，如果电流再大，芯片发热量增加。

发明内容

本发明的目的是针对LED照明提出的特定封装解决方案，用以实现一颗比较复杂的芯片采用一个QFN封装。

本发明提供了一种多芯片QFN封装结构，用以提高集成度，并且解决芯片发热量较大的问题；

QFN封装管壳；

电连接芯片，用于与所述QFN封装管壳以及所述三个芯片进行点连接。

本发明所述多芯片QFN封装结构还包括金属连接线，用于所述电连接芯片的压焊盘相连接，再通过金属连接线与另一所述的几个芯片的压焊盘相连接。

进一步优选地，所述PWM控制器的芯片的压焊盘通过金属连接线与所述功率MOS，肖特基二极管和电连接芯片的一个压焊盘相连接，再通过金属连接线与所述QFN封装管壳的电极触点相连接。

进一步优选地，所述带有PWM控制器的芯片的压焊盘通过金属连接线与所述电连接芯片的一个压焊盘相连接，再通过金属连接线与另一所述功率MOS和肖特基二极管的芯片的压焊盘相连接，并且所述带有PWM控制器的芯片的另一压焊盘通过金属连接线与所述电连接芯片的另一压焊盘相连接，再通过金属连接线与QFN封装管壳的电极触点相连接。

本发明通过在QFN封装结构中增加一颗电连接芯片，实现了将一颗或多颗芯片封装在QFN管壳内，从而解决了由于受到QFN封装设 计规则的限制，如封装内部短引线，引线不能交叉等而导致很多复杂芯片在需要进行多芯片封装时无法采用QFN封装的问题

附图说明

图1是本发明实施例提供的QFN封装结构的俯视图；

图2是本发明实施例提供的QFN封装结构的俯视图；

图3为图2中沿A-A直线的剖视图；

图4为图2中沿B-B直线的剖视图。

具体实施方式

为使本发明的目的，技术方案和优点更加清楚，下面结合附图对本发明具体实施例作进一步的详细描述。

下述实施例描述的为一种多芯片QFN封装结构。

图1为本发明实施例一中QFN封装结构的俯视示意图；图2为QFN管壳示意图；图3为die10示意图；图4为die20示意图。

如图1所示，QFN封装结构具体包括多芯片die，QFN管壳，以及各个芯片的压焊盘之间以及QFN管壳的电极触点与各个芯片压焊盘之间的连接线。

在现有技术中，因为受限于QFN封装工艺的设计规则，金属连接线的长度不能超过一定的值，因而如果不同芯片的die间进行引线键合可能会出现交叉等问题。若想实现连接起来的电路功能，必须通过对这些芯片进行单独封装，再进行外部点连接才能实现。