[发明专利]半导体器件

说明书

本发明涉及一种半导体器件。半导体器件包括N型半导体区域、背电极、第一和第二P型基区、第一和第二N⁺扩散层、栅极绝缘膜、栅电极和电压检测电路。第一N⁺扩散层用作输出MOS晶体管的源极并且用作感测MOS晶体管的源极。栅电极被提供为通过栅极绝缘膜40与N型半导体区域和第一及第二P型基区相对。负载电流在背电极和第一N⁺扩散层之间流动。电压检测电路生成检测信号。

技术领域

本发明涉及一种半导体器件，并且特别地涉及一种被配置为通过使用功率晶体管驱动负载的半导体器件。

背景技术

在通过使用功率晶体管驱动负载的半导体器件中，存在实现检测功能以检测负载的状态的情况。作为负载的状态的检测，例证了负载的异常状态的检测(诸如过电流、轻载状态(负载的一部分断开的状态)、无负载状态(负载完全断开的状态)，以及流过负载的负载电流的检测。

提出各种技术以精确地检测负载电流。例如，专利文献1(JP H10-116917A)公开了检测平面型双极晶体管的输出电流的技术。此专利文献公开了电极被设置在晶体管芯片的表面上的被暴露的集电极层中，以取出作为电流检测信号的由于硅衬底的电阻的电压降。

而且，根据输出晶体管的电流提供用于流动感测的晶体管，并且专利文献2(JP2011-166518A)公开了将根据输出晶体管流的、过感测晶体管的电流检测为由于感测电阻的电压降的技术。

此外，专利文献3(JP H08-102649A)公开通过与感测MOS晶体管的源极相连接的电流检测电路，检测根据被用作输出晶体管的功率MOS晶体管的流过感测MOS晶体管的电流的技术。在专利文献3中公开的技术中，通过在功率MOS晶体管的源极和电流检测电路的最小电压点之间连接的电压源将功率MOS晶体管的源漏极电压和感测MOS晶体管的源栅极电压调节为相同。

引用列表

[专利文献1]JP H10-116917A

[专利文献2]JP 2011-166518A

[专利文献3]JP H08-102649A

发明内容

然而，根据发明人的考虑，在这些现有技术中，存在在负载的状态的检测精确度中要改进的要点。

从本说明书和附图的描述，其它的问题和新的特征会变得更加清楚。

在一个实施例中，半导体器件包括第一导电类型的第一半导体区域、共用漏电极、不同于第一导电类型的第二导电类型的第二和第三半导体区域、第一导电类型的第一和第二扩散层、以及栅电极。共用漏电极被与第一半导体区域电连接。第二半导体区域被接合到第一半导体区域，并且第一扩散层被形成在第二半导体区域中。第一扩散层用作第一晶体管的源极。第三半导体区域被接合到第一半导体区域并且第二扩散层被形成在第三半导体区域中。第二扩散层用作第二晶体管的源极。栅电极被设置为通过栅极绝缘膜与第一半导体区域、第二半导体区域以及第三半导体区域相对。负载电流在共用漏电极和第一扩散层之间流动。第二扩散层的电压(即，第二晶体管的源极)被用于负载状态的检测。

在上述实施例的示例中，能够提高负载的状态的检测精确度。在上述实施例的另一示例中，能够提高负载电流的检测精确度。

附图说明

图1是示意性地示出根据第一实施例的半导体器件的配置的图。

图2A是示意性地示出比较器的配置的示例的图。

图2B是示意性地示出比较器的配置的另一示例的图。

图2C是示意性地示出比较器的配置的另一示例的图。