[发明专利]一种芯片的密封环

权利要求书

1.一种芯片的密封环，包括多层金属层叠结构，各所述金属层叠结构包括：

金属布线层，包括金属层和介质材料部；

层间介质层；

过孔，贯穿所述层间介质层设置，将相邻的所述金属层叠结构耦连，其特征在于，所述密封环还包括一个或多个金属墙，所述金属墙包括：

主体部，贯通各所述金属层叠结构；

卡接部，与所述主体部一体设置，所述卡接部向所述层间介质层内部延伸且与相邻的所述金属布线层中的所述金属层卡接。

2.根据权利要求1所述的密封环，其特征在于，所述过孔的特征尺寸为D₁，所述主体部的特征尺寸为D₂，所述卡接部的特征尺寸D₃，其中，D₂+D₃＝D₄，且D₂：D₃＝0.9:1.1～1.1:0.9，所述D₁：D₄＝0.9:1～1:1.1，所述特征尺寸是沿芯片沟道长度方向延伸的尺寸。

3.根据权利要求1所述的密封环，其特征在于，所述金属墙为一个且设置在所述密封环的远离所述芯片的一侧边缘。

4.根据权利要求1所述的密封环，其特征在于，所述金属墙为两个且分别设置在所述密封环的两侧边缘。

5.根据权利要求1所述的密封环，其特征在于，所述金属层叠结构为4～8层。

6.根据权利要求5所述的密封环，其特征在于，所述金属层叠结构为6～8层。

7.根据权利要求1所述的密封环，其特征在于，所述密封环为多个。

8.根据权利要求7所述的密封环，其特征在于，所述密封环为2～5个。

9.根据权利要求1所述的密封环，其特征在于，所述各金属层叠结构还包括金属粘附层，设置在所述层间介质层与所述金属布线层之间。

10.根据权利要求9所述的密封环，其特征在于，形成所述金属粘附层的材料为含碳的氮化硅。

11.根据权利要求1所述的密封环，其特征在于，所述金属层和所述介质材料部之间、所述过孔与所述层间介质层之间、所述金属墙的侧壁上设置有金属扩散阻挡层。

12.根据权利要求11所述的密封环，其特征在于，形成所述金属扩散阻挡层的材料为钽或氮化钽。

13.根据权利要求1所述的密封环，其特征在于，所述介质材料部和形成所述层间介质层的材料为SiOCH、氧化硅、氮化硅、氟硅玻璃或掺杂碳的氧化硅。

14.根据权利要求1至13中任一项所述的密封环，其特征在于，所述密封环为内密封环。