[发明专利]光刻胶的涂胶工艺在审
申请号: | 201410328218.X | 申请日: | 2014-07-11 |
公开(公告)号: | CN104076609A | 公开(公告)日: | 2014-10-01 |
发明(设计)人: | 顾金辉;万建安 | 申请(专利权)人: | 上海先进半导体制造股份有限公司 |
主分类号: | G03F7/16 | 分类号: | G03F7/16 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 徐洁晶 |
地址: | 200233 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光刻 涂胶 工艺 | ||
1.一种光刻胶的涂胶工艺,所述光刻胶涂布于一晶圆(101)的表面上,所述晶圆(101)置于一离心机的一真空台盘(102)上,所述晶圆(101)的上方具有一喷嘴组件(103),所述喷嘴组件(103)包括一溶剂喷嘴(104)和一光刻胶喷嘴(105),所述涂胶工艺包括步骤:
A.所述溶剂喷嘴(104)移动至所述晶圆(101)的中心位置上方,吐出所述光刻胶的溶剂至所述晶圆(101)上,用于增加后续所述光刻胶与所述晶圆(101)之间的粘附性;
B.所述真空台盘(102)带动所述晶圆(101)作第一次高速旋转,使所述溶剂喷嘴(104)吐出的所述溶剂均匀覆盖在所述晶圆(101)的整个表面上,并且所述光刻胶喷嘴(105)移动至所述晶圆(101)的中心位置上方;
C.所述光刻胶喷嘴(105)吐出所述光刻胶至所述晶圆(101)上;
D.所述真空台盘(102)带动所述晶圆(101)作第二次高速旋转,使所述光刻胶喷嘴(105)吐出的所述光刻胶均匀覆盖在所述晶圆(101)的整个表面上。
2.根据权利要求1所述的光刻胶的涂胶工艺,其特征在于,在步骤A中,所述溶剂的用量为1.95~2.05毫升。
3.根据权利要求2所述的光刻胶的涂胶工艺,其特征在于,在步骤B中,所述真空台盘(102)带动所述晶圆(101)作第一次高速旋转的转速为2500~3500转/分钟。
4.根据权利要求3所述的光刻胶的涂胶工艺,其特征在于,在步骤C中,所述光刻胶的最小用量为0.9毫升。
5.根据权利要求4所述的光刻胶的涂胶工艺,其特征在于,在步骤D中,所述真空台盘(102)带动所述晶圆(101)作第二次高速旋转的转速为3000~5000转/分钟。
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