[发明专利]一种基于RTV涂料的中压电缆附件缺陷模型有效

专利信息
申请号: 201410328430.6 申请日: 2014-07-11
公开(公告)号: CN104065020A 公开(公告)日: 2014-09-24
发明(设计)人: 朱晓辉;李旭;郭勇 申请(专利权)人: 国家电网公司;国网天津市电力公司
主分类号: H02G15/00 分类号: H02G15/00
代理公司: 天津盛理知识产权代理有限公司 12209 代理人: 王来佳
地址: 100031 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 基于 rtv 涂料 压电 附件 缺陷 模型
【说明书】:

技术领域

发明属于中压电缆技术领域,尤其是一种基于RTV涂料的中压电缆附件缺陷模型。

背景技术

随着电网的发展,中压(额定电压6~35kV)电缆附件的使用量逐年增加,运行中电缆附件也时常发生故障。电缆附件在电网中运行的质量取决于多方面的因素,包括设计、产品本身质量、施工安装工艺、电缆线路运行状况等。随着现代科技的不断发展及材料技术、生产工艺的不断提高,产品本身质量原因造成故障的概率越来越少,而现场的安装质量已直接影响中压电缆附件的故障率。

发明内容

本发明的目的在于克服现有技术的不足,提供一种基于RTV涂料的中压电缆附件缺陷模型,解决中压电缆施工过程中多发故障的模拟分析及处理问题。

本发明解决现有的技术问题是采取以下技术方案实现的:

一种基于RTV涂料的中压电缆附件缺陷模型,包括主绝缘体、绝缘屏蔽层、导体压接管和冷缩中间接头,所述的绝缘屏蔽层设置在主绝缘体的两端,导体压接管将两端电缆连接后,所述的冷缩中间接头设置在整体外部,在主绝缘体、绝缘屏蔽层和冷缩中间接头上设有如下四种缺陷之一:

⑴在导体压接管与主绝缘体之间制有气隙并使用RTV填补,构成导体压接管与主绝缘间气隙缺陷模型;

⑵在绝缘屏蔽层与主绝缘体的断口处制有半导电断口划伤并使用RTV填补,从而构成半导电断口划伤缺陷模型;

⑶在主绝缘体上制有划伤并使用RTV填补,从而构成主绝缘划伤缺陷模型;

⑷在主绝缘体的导体压接处制有渗水缝隙并使用RTV填补,从而构成防水缺陷模型。

而且,所述导体压接管与主绝缘间气隙缺陷模型中的气隙为1-2mm。

而且,所述半导电断口划伤缺陷模型中的半导电断口划伤为沿断口走向的环状划伤,对于10kV电缆:该划伤宽度为0.5mm,深度为1mm;对于35kV电缆:该划伤宽度为1mm,深度为1.5mm。

而且,所述主绝缘划伤缺陷模型中的划伤深度及位置为:对于10kV电缆,划伤深度为0.5-1mm,划伤长度为25mm,末端距主绝缘体端部40-50mm;对于35kV电缆,划伤深度为0.5-1.5mm,划痕长度为30mm,末端距主绝缘端部60-80mm。

而且,所述的冷缩中间接头采用透明硅橡胶制成。

本发明的优点和积极效果是:

本发明采用透明硅橡胶制作成的冷缩中间接头,对中压电缆现场施工过程中多发的问题进行模拟,并利用RTV处理缺陷,可以用来验证不同类型缺陷的处理效果,为后期进行试验对比分析,总结消除缺陷隐患的施工处理方法打下基础,对提高电缆供电可靠性、降低运行及维护成本有着重要意义。

附图说明

图1是本发明的导体压接管与主绝缘间气隙缺陷模型示意图;

图2是本发明的半导电断口划伤缺陷模型示意图;

图3是本发明的主绝缘划伤缺陷模型示意图;

图4是本发明的防水缺陷模型示意图;

图中,1:主绝缘体,2:导体压接管与主绝缘间气隙,3:绝缘屏蔽层,4:半导电断口划伤,5:导体压接管,6:主绝缘划伤,7:渗水缝隙,8:冷缩中间接头。

具体实施方式

以下结合附图对本发明实施例做进一步详述。

一种基于RTV涂料的中压电缆附件缺陷模型,如图1至图4所示,包括主绝缘体1、绝缘屏蔽层3,绝缘屏蔽层设置在主绝缘体的两端,两端电缆用导体压接管5连接,外部套有冷缩中间接头8,所述的冷缩中间接头采用透明硅橡胶制成,在主绝缘体、绝缘屏蔽层和冷缩中间接头上设有如下四种缺陷之一:

如图1所示,在导体压接管与主绝缘体之间制有气隙2,该气隙使用RTV填补,构成导体压接管与主绝缘间气隙缺陷模型。该缺陷模型的制作方法为:电缆主绝缘体剥切及导体压接后,在缠绕半导电带时在主绝缘体和导体压接管之间留出约1-2mm的缝隙,并使用RTV填补导体压接管与主绝缘体之间的气隙。

如图2所示,在绝缘屏蔽层与主绝缘体的断口处制有沿断口走向的环状划伤4,并使用RTV沿断口均匀涂抹一周,并在其干燥后打磨平滑,从而构成半导电断口划伤缺陷模型。该缺陷模型的制作方法为:当完成电缆绝缘屏蔽层的剥除后,在绝缘屏蔽层与主绝缘体的断口处留下半导电断口划伤,划痕的宽度及深度为,10kV:宽0.5mm,深1mm;35kV:宽1mm,深1.5mm,并使用RTV沿断口均匀涂抹一周,并在其干燥后打磨平滑。

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