[发明专利]闪存及其制作方法

权利要求书

1.一种闪存的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：

步骤S1，在半导体衬底的上表面上制作包含浮栅和控制栅的栅极结构，所述控制栅的上表面与所述半导体衬底的上表面的距离为H₁；

步骤S2，在所述栅极结构的两侧制作侧墙、源极和漏极；

步骤S3，在所述源极和漏极上形成第一金属插塞；以及

步骤S4，回蚀所述第一金属插塞得到第二金属插塞，所述第二金属插塞的上表面与所述半导体衬底的上表面的距离为H₂，且H₂＜H₁，所述第二金属插塞作为所述闪存的共源极；

步骤S5，在所述半导体衬底上沉积介电材料，形成介质层；

步骤S6，刻蚀位于所述漏极的介质层，形成凹槽；以及

步骤S7，向所述凹槽内沉积金属，形成第三金属插塞。

2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述控制栅的下表面与所述半导体衬底的上表面的距离为H₃，且H₂≤H₃。

3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，形成所述第一金属插塞的材料为金属钨。

4.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述步骤S3包括：

步骤S31，在所述半导体衬底上沉积金属；

步骤S32，将所述金属减薄至所述侧墙的顶部所在平面，得到所述第一金属插塞。

5.根据权利要求4所述的制作方法，其特征在于，所述步骤S32采用化学机械抛光法减薄所述金属，所述化学机械抛光中金属与氮化硅的选择比为20:1～50:1。

6.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，形成所述侧墙的侧墙材料为氧化硅和/或氮化硅。

7.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述步骤S6包括：

步骤S61，在完成所述步骤S5的半导体衬底上沉积形成光刻胶层；

步骤S62，对所述光刻胶层进行图案化处理，在所述漏极对应的位置形成开口，且所述开口的宽度大于相邻所述第二金属插塞的宽度；

步骤S63，以所述图案化的光刻胶层为掩膜，对所述介质层进行刻蚀，形成所述凹槽；

步骤S64，去除所述图案化的光刻胶层。

8.根据权利要求7所述的制作方法，其特征在于，形成所述介质层的所述介电材料为SiOCH、氧化硅、氮化硅、氟硅玻璃或掺杂碳的氧化硅，所述刻蚀过程中，所述介质层与所述侧墙的选择比为20:1～100:1。

9.根据权利要求7所述的制作方法，其特征在于，形成所述第三金属插塞的材料为金属钨。