[发明专利]焊盘结构及其制作方法

权利要求书

1.一种焊盘结构，其特征在于，所述焊盘结构包括：

导电缓冲层(110)，覆于所述金属互连结构中金属区(20)的表面上；

焊垫(120)，覆于所述导电缓冲层(110)的表面上；

所述导电缓冲层(110)的杨氏模量大于所述焊盘(120)的杨氏模量。

2.根据权利要求1所述的焊盘结构，其特征在于，所述导电缓冲层(110)为含Ti缓冲层，所述含Ti缓冲层包括：

Ti缓冲层，位于所述金属区(20)的上方；以及

TiN缓冲层，位于所述Ti缓冲层远离所述金属区的一侧。

3.根据权利要求1所述的焊盘结构，其特征在于，焊盘结构还包括扩散阻挡层(130)，所述扩散阻挡层(130)设置在所述金属区(20)与所述导电缓冲层(110)之间，和/或所述导电缓冲层(110)和所述焊垫(120)之间。

4.根据权利要求3所述的焊盘结构，其特征在于，所述扩散阻挡层(130)设置在所述金属区与所述导电缓冲层(110)之间。

5.根据权利要求3所述的焊盘结构，其特征在于，所述扩散阻挡层(130)为含Ta阻挡层，所述含Ta阻挡层包括：

Ta阻挡层，位于所述金属区(20)的上方；以及

TaN阻挡层，位于所述Ta阻挡层远离所述金属区的一侧。

6.根据权利要求5所述的焊盘结构，其特征在于，所述导电缓冲层(110)的厚度为所述扩散阻挡层(130)的厚度的3～18倍。

7.根据权利要求5所述的焊盘结构，其特征在于，所述导电缓冲层(110)的厚度为所述扩散阻挡层(130)的厚度为

8.根据权利要求2或5所述的焊盘结构，其特征在于，所述TiN缓冲层或所述TaN阻挡层中氮含量为20～30wt％。

9.根据权利要求1所述的焊盘结构，其特征在于，所述金属区(20)为铜金属区，所述焊垫(120)为铝焊垫，优选所述铝焊垫为掺铜铝焊垫，优选所述掺铜铝焊垫中铜掺杂量为0.5～1wt％。

10.一种权利要求1至9中任一项所述的焊盘结构的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

在金属互连结构中金属区(20)的表面上形成杨氏模量高于所欲形成的焊垫(120)杨氏模量的导电缓冲层(110)；

在所述导电缓冲层(110)的表面上形成焊垫(120)。

11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，形成所述导电缓冲层(110)的步骤中，所述导电缓冲层(110)为含Ti缓冲层；形成所述含Ti缓冲层的步骤包括：

在所述金属区上形成Ti缓冲层；以及

在所述Ti缓冲层上形成TiN缓冲层。

12.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，在形成所述导电缓冲层(110)的步骤之前，和/或在形成所述焊垫(120)之前，还包括形成扩散阻挡层(130)的步骤；优选在形成所述导电缓冲层(110)的步骤之前形成所述扩散阻挡层(130)。

13.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，形成所述扩散阻挡层(130)的步骤中，所述扩散阻挡层(130)为含Ta阻挡层；形成所述含Ta阻挡层的步骤包括：

在所述金属区(20)的上方形成Ta阻挡层，以及

在所述Ta阻挡层上形成TaN阻挡层。

14.根据权利要求11或13所述的方法，其特征在于，形成所述TiN缓冲层或形成所述TaN阻挡层时，氮气流量为5～15sccm。

15.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，形成所述焊垫(120)时，所述焊垫(120)为铝焊垫，优选为铜掺杂量0.5～1wt％的掺铜铝焊垫，更优选所述焊垫在压力为2～10mtorr、温度为180～270℃的条件下形成。