[发明专利]场效应晶体管及形成场效应晶体管的方法

权利要求书

1.一种场效应晶体管，其特征在于包含：

基底，具有主动区域，该主动区域的形状为至少一突出部突出于一方形；

隔离层，形成于该基底上且围绕该主动区域；

栅极，横跨该主动区域且形成于该主动区域的中段上方；

沟道，形成于该栅极正下方的该主动区域并延伸到该至少一突出部，以将该主动区域分隔为一第一区间及一第二区间；

漏极，形成于该第一区间；及

源极，形成于该第二区间，

其中，该突出部不掺杂载流子，该突出部的宽度是该栅极的宽度的两倍。

2.如权利要求1所述的场效应晶体管，其特征在于该突出部突出于该方形的长度与该栅极的宽度相同。

3.如权利要求1或2所述的场效应晶体管，其特征在于该突出部的形状包含方形及/或弓形。

4.如权利要求1或2所述的场效应晶体管，其特征在于该栅极横跨该主动区域且形成于该至少一突出部的正上方、上方偏右或上方偏左。

5.如权利要求1或2所述的场效应晶体管，其特征在于该方形具有两突出部，该两突出部是突出于该方形的两对边，并使该主动区域呈现十字型的对称形状。

6.一种形成场效应晶体管的方法，其特征在于包含：

提供基底，具有主动区域，该主动区域的形状为至少一突出部突出于一方形；

形成隔离层于该基底上，且该隔离区围绕该主动区域；

形成栅极于该主动区域上，该栅极横跨该主动区域且形成于该至少一突出部的上方；及

在该栅极的两侧掺杂多个载流子于该主动区域上以在该栅极与该隔离层所区隔出的第一区间形成漏极及在该栅极与该隔离层所区隔出的第二区间形成源极，其中该突出部不掺杂载流子，该突出部的宽度是该栅极的宽度的两倍。

7.如权利要求6所述的方法，其特征在于该突出部突出于该方形的长度与该栅极的宽度相同。

8.如权利要求6或7所述的方法，其特征在于该突出部的形状包含方形及/或弓形。

9.如权利要求6或7所述的方法，其特征在于该栅极横跨该主动区域且形成于该至少一突出部的正上方、上方偏右或上方偏左。

10.如权利要求6或7所述的方法，其特征在于该方形具有两突出部，该两突出部是突出于该方形的两对边，并使该主动区域呈现十字型的对称形状。