[发明专利]探测装置有效
申请号: | 201410331001.4 | 申请日: | 2014-07-11 |
公开(公告)号: | CN104282592B | 公开(公告)日: | 2018-07-13 |
发明(设计)人: | 筱原荣一;山口显治;八田政隆 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 探测装置 围绕部件 探针 电特性检查 火花 气体供给机构 半导体晶片 半导体器件 防止机构 功率器件 供给气体 晶片表面 接触板 探测卡 有效地 载置台 放电 晶片 芯片 包围 | ||
1.一种探测装置,其用于对形成于半导体晶片上且在两面具有电极的功率器件的电特性进行检查,所述探测装置的特征在于,包括:
载置并支承所述半导体晶片的能够移动的载置台;
与所述载置台相对地配置于所述载置台的上方,对与露出在由所述载置台支承的所述半导体晶片的正面的所述功率器件的正面侧电极接触的探针进行支承的探测卡;
将所述探针和测定器的对应的第一端子电连接的第一连接导体;
形成所述载置台的载置面,与露出在由所述载置台支承的所述半导体晶片的背面的所述功率器件的背侧电极接触的载置面导体;
安装在所述载置台上,与所述载置面导体电连接的能够升降移动的接触件;
包围所述探针的周围的导电性的接触板,其在比所述探测卡低的位置且配置在所述载置台的上方,使得能够通过所述接触板的下表面与所述接触件接触;
将所述接触板和所述测定器的对应的第二端子电连接的第二连接导体;和
在进行所述功率器件的电特性的检查时,为了在所述探针的周围形成比大气压高的规定压力的气氛,经由所述接触板的内部或附近对所述探针的周围供给气体的气体供给机构。
2.如权利要求1所述的探测装置,其特征在于:
所述气体供给机构具有通过所述探测卡的周围的气体供给线路。
3.如权利要求2所述的探测装置,其特征在于:
所述气体供给线路穿过在所述探测卡的周边以所述探测卡能够装卸的方式对所述探测卡进行支承的探测卡架。
4.如权利要求3所述的探测装置,其特征在于:
在所述接触板和所述探测卡架或者所述探测卡之间插入有密封部件。
5.如权利要求2~4中任一项所述的探测装置,其特征在于:
所述气体供给线路具有形成在所述接触板的内部的气体流路。
6.如权利要求1~4中任一项所述的探测装置,其特征在于:
所述气体供给机构具有设置在所述接触板的与所述探针相对的内周面的第一气体喷出口。
7.如权利要求1~4中任一项所述的探测装置,其特征在于:
所述气体供给机构具有设置在所述接触板的下表面的第二气体喷出口。
8.如权利要求1~4中任一项所述的探测装置,其特征在于:
所述气体供给机构具有设置在所述接触板的上表面的第三气体喷出口。
9.如权利要求1~4中任一项所述的探测装置,其特征在于:
在所述接触板的下表面设置有迷宫式密封件。
10.如权利要求9所述的探测装置,其特征在于:
所述迷宫式密封件具有包围所述探针的前端部的同心状的多个迷宫式翅片。
11.如权利要求9所述的探测装置,其特征在于:
所述迷宫式密封件设置成接近所述接触板的与所述探针相对的内周面。
12.如权利要求9所述的探测装置,其特征在于:
所述迷宫式密封件设置在从所述接触板的下表面突出的隔壁的下表面。
13.如权利要求1~4中任一项所述的探测装置,其特征在于:
在所述载置台上设置有包围所述半导体晶片的周围的密封环。
14.如权利要求13所述的探测装置,其特征在于:
所述密封环具有在所述载置台上与所述半导体晶片成为一个面的厚度。
15.如权利要求1~4中任一项所述的探测装置,其特征在于:
在进行所述功率器件的电特性的检查时包围所述探针并封闭所述接触板和所述载置台之间的缝隙的突起部,设置在所述接触板或所述载置台上。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造