[发明专利]薄膜沉积装置和使用该薄膜沉积装置的薄膜沉积方法在审

专利信息
申请号: 201410331197.7 申请日: 2014-07-11
公开(公告)号: CN104419892A 公开(公告)日: 2015-03-18
发明(设计)人: 李在哲 申请(专利权)人: 三星显示有限公司
主分类号: C23C14/04 分类号: C23C14/04;C23C14/12;C23C14/24
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 代理人: 刘灿强;谭昌驰
地址: 韩国京畿*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 薄膜 沉积 装置 使用 方法
【权利要求书】:

1.一种薄膜沉积装置,其特征在于,包括:

掩模,与基底的第一表面接触;

磁板,在基底的第二表面上方,并且被构造成将掩模拉向基底的第一表面,基底的第二表面是与第一表面相反的表面;以及

绝缘构件,在基底的第二表面与磁板之间。

2.根据权利要求1所述的薄膜沉积装置,其特征在于,基中,绝缘构件包括氟树脂或聚二醚酮。

3.根据权利要求1所述的薄膜沉积装置,其特征在于,其中,绝缘构件覆盖磁板的面向基底的第二表面的整个表面。

4.根据权利要求1所述的薄膜沉积装置,其特征在于,其中,绝缘构件覆盖磁板的面向基底的第二表面的表面的一部分。

5.根据权利要求4所述的薄膜沉积装置,其特征在于,其中,绝缘构件具有网格形状。

6.根据权利要求1所述的薄膜沉积装置,其特征在于,其中,磁板包括多个被填料包围的磁体。

7.根据权利要求6所述的薄膜沉积装置,其特征在于,其中,磁板中的磁体按网格布置。

8.根据权利要求6所述的薄膜沉积装置,其特征在于,其中,磁板中的磁体布置成重复图案。

9.一种沉积薄膜的方法,其特征在于,所述方法包括:

准备基底、掩模和磁板,基底位于室中,掩模与基底的第一表面接触,磁板在绝缘构件上,绝缘构件在基底的与第一表面相反的第二表面上;以及

操作在室中准备的沉积源,以通过掩模在基底的第一表面上形成薄膜。

10.根据权利要求9所述的方法,其特征在于,其中,形成在基底的第一表面上的薄膜包括用于有机发光显示装置的薄膜包封的有机层。

11.根据权利要求9所述的方法,其特征在于,其中,绝缘构件包括氟树脂或聚二醚酮。

12.根据权利要求9所述的方法,其特征在于,其中,绝缘构件覆盖磁板的面向基底的第二表面的整个表面。

13.根据权利要求9所述的方法,其特征在于,其中,绝缘构件覆盖磁板的面向基底的第二表面的表面的一部分。

14.根据权利要求13所述的方法,其特征在于,其中,绝缘构件具有网格形状。

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