[发明专利]超结集电区SiGe异质结双极晶体管

权利要求书

1.一种超结集电区SiGe异质结双极晶体管，其特征在于：同时具有超结集电区结构和基区Ge组分从发射结侧向集电结侧呈递增的阶梯形分布结构；

所述超结集电区由n型半导体柱(22)和p型半导体柱(23)组成，且对应位于二氧化硅层(33)之间的多晶硅层(32)的正下方的超结集电区区域为所述n型半导体柱(22)；所述超结集电区内n型半导体柱(22)和p型半导体柱(23)沿器件横向方向交替排列；

所述的阶梯形基区Ge组分分布Ge含量的表达式为

$y=\left\{\begin{array}{cc}{y}_1& 0\≤x\<x_1\\ \frac{y_2-y_1}{x_2-x_1}(x-x_1)+y_1& x_1\<x\≤x_2\\ y_2& x_2\<x\≤x_3\\ \frac{y_3-y_2}{x_4-x_3}(x-x_3)+y_2& x_3\<x\≤x_4\\ y_3& x_4\<x\≤W_B\end{array}\right.$

其中，W_B为基区宽度，x₁、x₂、x₃、x₄为离发射结端的距离，y₁、y₃分别为基区靠近发射结侧和基区靠近集电结侧的Ge组分含量，y₂为基区中x₃-x₂区域内对应的Ge组分含量，并且满足：y₂＝(y₁+y₃)/2；所述n型半导体柱(22)和所述p型半导体柱(23)的柱宽、柱深和掺杂浓度均相等，且所述n型半导体柱(22)和所述p型半导体柱(23)的柱宽大于或等于多晶硅层(32)位于二氧化硅层(33)之间的宽度；柱深小于或等于位于基区(24)和N⁺衬底(20)之间的集电区的厚度，掺杂浓度等于N^-集电区(21)的掺杂浓度。