[发明专利]发光器件及发光器件封装

权利要求书

1.一种发光器件，包括：

发光结构，包括多个化合物半导体层；

电流扩散层，在所述发光结构下方；

多个波长转换结构，在所述电流扩散层中；以及

电极，在所述发光结构上。

2.根据权利要求1所述的发光器件，还包括：

电极层，在所述电流扩散层下方；

沟道层，在所述发光结构的外围区域下方；

粘接层，在所述电极层下方；以及

支撑构件，在所述粘接层下方。

3.根据权利要求2所述的发光器件，其中所述电流扩散层与所述沟道层的一部分重叠。

4.根据权利要求2所述的发光器件，其中所述粘接层包围所述电流扩散层和所述电极层中的至少一个。

5.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述电流扩散层包括石墨烯片。

6.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述波长转换结构被所述电流扩散层包围。

7.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述多个波长转换结构具有彼此不同的直径。

8.根据权利要求7所述的发光器件，其中取决于所述多个波长转换结构的多个直径，从所述发光结构产生的光具有彼此不同的波长。

9.根据权利要求7所述的发光器件，其中所述发光结构产生紫外线，并且由所述多个波长转换结构将所述紫外线转换成具有彼此不同的波长的可见光。

10.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述电极层包括电极和反射层中的至少一个。

11.根据权利要求10所述的发光器件，其中所述电极层包括选自由以下构成的群组中的至少一个：Au、Ti、Ni、Cu、Al、Cr、Ag和Pt。

12.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述波长转换结构包括CdSe、CdSe/ZnS、CdTe/CdS、PbS和PuSe之一。

13.根据权利要求12所述的发光器件，其中所述波长转换结构包括CdSe，并且具有1.9nm到6.7nm范围内的直径。

14.根据权利要求12所述的发光器件，其中所述波长转换结构包括CdSe/ZnS，并且具有2.9nm到6.1nm范围内的直径。

15.根据权利要求12所述的发光器件，其中所述波长转换结构包括CdSe/CdS，并且具有3.7nm到4.8nm范围内的直径。

16.根据权利要求12所述的发光器件，其中所述波长转换结构包括PbS，并且具有2.3nm到2.9nm范围内的直径。

17.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述波长转换结构具有内核-外膜结构。

18.根据权利要求2所述的发光器件，其中所述沟道层包括选自由以下构成的群组中的至少一个：SiO₂、SiO_x、SiO_xN_y、Si₃N₄和Al₂O₃。

19.根据权利要求1所述的发光器件，还包括：

衬底，在所述发光结构上。

20.根据权利要求14所述的发光器件，还包括：

电极层，在所述电流扩散层下方。