[发明专利]一种在石墨烯薄膜上剥离外延材料的方法

权利要求书

1.一种在石墨烯薄膜上剥离外延材料的方法，包括以下步骤：

步骤1、提供一表面有石墨烯薄膜的基底，所述石墨烯薄膜层数≥2，且所述石墨烯薄膜是直接生长于基底上或者是经过1次或多次转移到基底上的；

步骤2、在所述石墨烯薄膜上直接外延生长材料；

步骤3、剥离所述外延材料，所述剥离发生在石墨烯薄膜间或者是石墨烯薄膜与基底之间。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述石墨烯薄膜为直接生长在基底上的≥2层的石墨烯，或者是一次转移到基底上的≥2层的石墨烯，亦或是多次转移到基底上的≥1层的石墨烯。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述石墨烯薄膜是原位掺杂的或未掺杂的石墨烯薄膜。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述石墨烯薄膜为经过掺杂修饰处理或者未加任何修饰处理的石墨烯薄膜。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述修饰是指对所述石墨烯薄膜进行氮化、氟化、硫化和氯化处理。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述剥离的方式包括自动剥离、机械剥离和化学剥离方式。

7.如权利要求6所述的方法，其中，所述自动剥离方式是指在外延生长完成后改变条件使得外延材料自动剥离。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述剥离发生在石墨烯薄膜的层间。

9.根据权利要求1所述的方法，其中，所述剥离发生在石墨烯薄膜与基底之间。

10.如权利要求1所述的方法，其还包括：将所述石墨烯薄膜从所述外延材料去除。

11.如权利要求1所述的方法，其中，将所述石墨烯薄膜作为电流扩展层或热沉保留在所述外延材料上。