[发明专利]针对多个管芯的封装组件配置及关联的技术在审
申请号: | 201410333254.5 | 申请日: | 2014-07-14 |
公开(公告)号: | CN104347600A | 公开(公告)日: | 2015-02-11 |
发明(设计)人: | Y.刘;I.萨拉马;M.K.罗伊;R.S.维斯瓦纳思 | 申请(专利权)人: | 英特尔公司 |
主分类号: | H01L25/065 | 分类号: | H01L25/065;H01L23/538;H01L21/98 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 申屠伟进;刘春元 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 针对 管芯 封装 组件 配置 关联 技术 | ||
1.一种封装组件,包括:
封装衬底,具有第一侧和安置成与第一侧相对的第二侧;
第一管芯,被安装在第一侧上和通过一个或多个第一管芯级互连而与封装衬底电耦合;
第二管芯,被安装在第二侧上和通过一个或多个第二管芯级互连而与封装衬底电耦合;以及
封装级互连结构,被安置在封装衬底的第一侧上并且被配置成在第一管芯与封装衬底外部的电器件之间和在第二管芯与外部器件之间路由电信号。
2.根据权利要求1所述的封装组件,其中,所述封装衬底包含被配置成在第一管芯与第二管芯之间路由电信号的电布线特征。
3.根据权利要求2所述的封装组件,其中:
所述封装衬底包括聚合物、玻璃、半导体或陶瓷材料;以及
所述电布线特征包含一个或多个直通衬底通孔(TSubV)。
4.根据权利要求3所述的封装组件,其中:
所述封装衬底包括硅;以及
一个或多个TSubV包含一个或多个直通硅通孔(TSV)。
5.根据权利要求1至4中任何一项所述的封装组件,其中,第一管芯级互连和第二管芯级互连包括可控塌陷芯片连接(C4)突块。
6.根据权利要求1至4中任何一项所述的封装组件,其中:
所述封装衬底是倒装芯片球栅格阵列(FCBGA)封装或倒装芯片芯片规模(FCCSP)封装的衬底;以及
第一管芯和第二管芯中的至少一个是片上系统(SoC)管芯。
7.根据权利要求1至4中任何一项所述的封装组件,其中封装级互连包含焊盘。
8.根据权利要求7所述的封装组件,其中封装级互连包含与焊盘耦合的焊料球。
9.根据权利要求7所述的封装组件,其中封装级互连包含与焊盘耦合的铜柱。
10.一种封装衬底,包括:
第一侧;
第二侧,被安置成与第一侧相对;
一个或多个第一管芯级互连结构,被安置在第一侧上,所述第一管芯级互连结构被配置成接收要安装在第一侧上的第一管芯的电连接;
一个或多个第二管芯级互连结构,被安置在第二侧上,所述第二管芯级互连结构被配置成接收要安装在第二侧上的第二管芯的电连接;以及
封装级互连结构,被安置在封装衬底的第一侧上并且被配置成在第一管芯级互连结构与封装衬底外部的电器件之间和在第二管芯互连结构与外部器件之间路由电信号。
11.根据权利要求10所述的封装衬底,进一步包括:
电布线特征,被配置成在第一管芯级互连结构与第二管芯级互连结构之间路由电信号。
12.根据权利要求10和11中任何一项所述的封装衬底,其中,第一管芯级互连结构和第二管芯级互连结构包含被配置成接收可控塌陷芯片连接(C4)突块或引线接合连接的焊盘。
13.根据权利要求10和11中任何一项所述的封装衬底,其中,封装级互连结构包含被配置成接收焊料球或铜柱的焊盘。
14.一种制作封装组件的方法,包括:
提供封装衬底,所述封装衬底具有第一侧和被安置成与第一侧相对的第二侧;
使用一个或多个第一管芯级互连来耦合第一管芯与第一侧;
使用一个或多个第二管芯级互连来耦合第二管芯与第二侧;
在封装衬底的第一侧上形成封装级互连结构,其中,封装级互连结构被配置成在第一管芯与封装衬底外部的电器件之间和在第二管芯与外部器件之间路由电信号。
15.根据权利要求14所述的方法,其中,提供封装衬底包括提供包含电布线特征的封装衬底,所述电布线特征被配置成在第一管芯与第二管芯之间路由电信号。
16.根据权利要求14所述的方法,其中,耦合第一管芯或耦合第二管芯包括形成可控塌陷芯片连接(C4)突块。
17.根据权利要求14所述的方法,其中,耦合第一管芯或耦合第二管芯包括形成引线接合连接。
18.根据权利要求14至17任何一项所述的方法,其中,形成封装级互连结构包括形成球栅格阵列(BGA)或岸面栅格阵列(LGA)结构。
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