[发明专利]半导体器件的制造方法和半导体器件

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：

在衬底内引入掺杂剂以形成掺杂区；

形成从所述掺杂区的上表面延伸至所述掺杂区内的沟槽；

在所述沟槽的内表面和所述掺杂区的所述上表面上形成第一介电层；

去除所述第一介电层的一部分以形成暴露所述掺杂区的所述上表面的一部分的开口；

在所述第一介电层上和所述开口中形成第一导电层；

在所述第一导电层上形成第二介电层；

在所述第二介电层上形成第二导电层；

图案化所述第二导电层和位于所述第二导电层下面的所述第二介电层以限定顶电极并暴露所述第一导电层的一部分；

图案化所述第一导电层的所述部分以限定位于所述顶电极下面的底电极和位于所述开口上方的接触焊盘，其中，所述掺杂区、所述第一介电层、所述底电极、所述第二介电层和所述顶电极组成沟槽电容器；

形成覆盖所述沟槽电容器和所述接触焊盘的层间介电(ILD)层；以及

在所述ILD层中形成分别接触所述接触焊盘、所述底电极和所述顶电极的多个接触元件。

2.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，还包括：

在形成覆盖所述沟槽电容器和所述接触焊盘的所述ILD层之后，抛光所述ILD层。

3.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，还包括：

在形成覆盖所述沟槽电容器和所述接触焊盘的所述ILD层之后，图案化所述ILD层以形成分别暴露所述接触焊盘的一部分、所述底电极的一部分和所述顶电极的一部分的多个接触窗口。

4.根据权利要求3所述的制造半导体器件的方法，其中，所述ILD层具有大于每个所述接触窗口的深度的最大厚度。

5.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，其中，所述ILD层具有大于每个所述接触元件的长度的最大厚度。

6.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，其中，图案化所述第一导电层的所述部分还包括：图案化位于所述第一导电层的所述部分下面的所述第一介电层。

7.一种半导体器件，包括：

衬底；

沟槽电容器，位于所述衬底中，其中，所述沟槽电容器包括：

掺杂区，位于所述衬底中，其中，所述掺杂区具有从所述掺杂区的上表面延伸至所述掺杂区内的沟槽；

第一介电层，位于所述沟槽的内表面上；

底电极，位于所述第一介电层上；

第二介电层，位于所述底电极上；和

顶电极，位于所述第二介电层上；

接触焊盘，位于所述掺杂区的上表面的一部分上并且接触所述掺杂区的上表面的一部分；

ILD层，覆盖所述沟槽电容器和所述接触焊盘；以及

多个接触元件，位于所述ILD层中并且分别接触所述接触焊盘、所述底电极和所述顶电极。

8.根据权利要求7所述的半导体器件，其中，所述接触焊盘和所述沟槽电容器的所述底电极由相同的导电材料制成。

9.根据权利要求7所述的半导体器件，其中，所述接触焊盘和所述沟槽电容器的所述底电极由相同的导电层制成。

10.根据权利要求7所述的半导体器件，其中，所述接触焊盘与所述底电极具有基本上相同的高度。

11.根据权利要求7所述的半导体器件，其中，所述ILD层具有多个接触窗口以分别暴露所述接触焊盘的一部分、所述底电极的一部分和所述顶电极的一部分，并且所述接触元件分别设置在所述接触窗口中。

12.根据权利要求11所述的半导体器件，其中，所述ILD层具有大于每个所述接触窗口的深度的最大厚度。

13.根据权利要求7所述的半导体器件，其中，所述ILD层具有大于每个所述接触元件的长度的最大厚度。

14.根据权利要求7所述的半导体器件，其中，所述接触元件与所述掺杂区直接物理接触。

15.根据权利要求7所述的半导体器件，其中，所述第一介电层在所述掺杂区的上表面上方延伸，并且具有暴露所述掺杂区的上表面的一部分的开口，并且所述接触焊盘设置在所述开口上方。