[发明专利]产生氟化-氯化二氧化硅-包覆的氧化铝活化剂载体的方法和含有其的催化剂体系

权利要求书

1.催化剂组合物，包括：

活化剂载体，包括氟化-氯化二氧化硅-包覆的氧化铝；

茂金属化合物；和

任选地，助催化剂；其中

在相同的聚合条件下，所述催化剂组合物的催化剂活性大于包含氟化二氧化硅-包覆的氧化铝的催化剂体系的催化剂活性。

2.权利要求1所述的组合物，其中：

所述氟化-氯化二氧化硅-包覆的氧化铝包括基于所述二氧化硅-包覆的氧化铝的重量10至80wt.％二氧化硅；

所述氟化-氯化二氧化硅-包覆的氧化铝包括基于所述氟化-氯化二氧化硅-包覆的氧化铝的重量2至15wt.％F；和

所述氟化-氯化二氧化硅-包覆的氧化铝包括基于所述氟化-氯化二氧化硅-包覆的氧化铝的重量1至10wt.％Cl。

3.权利要求1所述的组合物，其中所述催化剂组合物包括活化剂载体、茂金属化合物和助催化剂，所述活化剂载体包括氟化-氯化二氧化硅-包覆的氧化铝，其中所述助催化剂包括铝氧烷化合物、有机硼或有机硼酸盐化合物、离子化离子化合物、有机铝化合物、有机锌化合物、有机镁化合物、有机锂化合物或其任何组合。

4.权利要求3所述的组合物，其中所述助催化剂包括有机铝化合物，其中所述有机铝化合物包括三甲基铝、三乙基铝、三正丙基铝、三正丁基铝、三异丁基铝、三正己基铝、三正辛基铝、二异丁基氢化铝、二乙基乙醇铝、二乙基氯化铝、或其任何组合。

5.权利要求1所述的组合物，其中所述氟化-氯化二氧化硅-包覆的氧化铝通过以下方法产生，包括：

(a)在最高煅烧温度煅烧二氧化硅-包覆的氧化铝以产生煅烧的二氧化硅-包覆的氧化铝；

(b)将所述煅烧的二氧化硅-包覆的氧化铝与含氯化合物接触和在最高氯化温度煅烧以产生氯化二氧化硅-包覆的氧化铝；和

(c)将所述氯化二氧化硅-包覆的氧化铝与含氟化合物接触和在最高氟化温度煅烧以产生氟化-氯化二氧化硅-包覆的氧化铝。

6.权利要求1所述的组合物，其中：

所述催化剂组合物的催化剂活性在具有三异丁基铝助催化剂的淤浆聚合条件下，使用异丁烷作为稀释剂，并以95℃的聚合温度和400psig的反应器压力，大于每小时每克氟化-氯化二氧化硅-包覆的氧化铝1000克聚乙烯；和

所述催化剂组合物的催化剂活性在具有三异丁基铝助催化剂的淤浆聚合条件下，并以70℃的聚合温度和450psig的反应器压力，大于每小时每克氟化-氯化二氧化硅-包覆的氧化铝1000克聚丙烯。

7.权利要求1所述的组合物，其中：

在相同的聚合条件下，所述催化剂组合物的催化剂活性大于含有氯化二氧化硅-包覆的氧化铝的催化剂体系的催化剂活性。

8.权利要求1所述的组合物，其中在相同的聚合条件下，所述催化剂组合物的催化剂活性大于含有氯化-氟化二氧化硅-包覆的氧化铝的催化剂体系的催化剂活性。

9.烯烃聚合方法，所述方法包括在聚合反应器系统中在聚合条件下将催化剂组合物与烯烃单体和任选地烯烃共聚单体接触以产生烯烃聚合物，其中所述催化剂组合物包括活化剂载体、茂金属化合物、和任选地助催化剂，所述活化剂载体包括氟化-氯化二氧化硅-包覆的氧化铝；其中

在相同的聚合条件下，所述催化剂组合物的催化剂活性大于包含氟化二氧化硅-包覆的氧化铝的催化剂体系的催化剂活性。

10.权利要求9所述的方法，其中所述聚合反应器系统包括批式反应器、淤浆反应器、气相反应器、溶液反应器、高压反应器、管式反应器或其任何组合。

11.权利要求10所述的方法，其中所述高压反应器是高压釜反应器。

12.权利要求9所述的方法，其中所述烯烃单体包括乙烯或丙烯。