[发明专利]一种薄膜晶体管及其制备方法、显示基板和显示设备

权利要求书

1.一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，该制备方法包括以下步骤：

在基板(1)上形成半导体层，并进行图形化，得到有源层(4)；

在所述有源层(4)上形成第一电极材料层，并进行图形化，得到第一源电极(5)和第一漏电极(6)；

对所述第一源电极(5)和第一漏电极(6)进行热处理，以在所述第一源电极(5)和第一漏电极(6)的表面上形成氧化层(10)，并使得所述有源层(4)中含有与所述第一源电极(5)和第一漏电极(6)相同的金属原子；

形成刻蚀阻挡材料层，以覆盖所述氧化层(10)以及所述第一源电极(5)与所述第一漏电极(6)之间的区域，并对所述刻蚀阻挡材料层和所述氧化层(10)进行图形化，以形成与所述氧化层(10)部分重叠的刻蚀阻挡层(7)；

在所述刻蚀阻挡层(7)的上方形成第二电极材料层，并进行图形化，得到第二源电极(8)和第二漏电极(9)，其中，所述第一源电极(5)与第二源电极(8)电连接，所述第一漏电极(6)与第二漏电极(9)电连接。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述有源层(4)为金属氧化物半导体材料。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一漏电极(5)和/或第一源电极(6)的材料为铝或铝的合金。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一源电极(5)与第二源电极(8)通过所述刻蚀阻挡层(7)上的第一过孔电连接，所述第一漏电极(6)与第二漏电极(9)通过所述刻蚀阻挡层(7)上的第二过孔电连接。

5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述第一源电极(5)与所述第一漏电极(6)之间的距离小于所述刻蚀阻挡层(7)上第一过孔与第二过孔之间的距离。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，利用退火工艺对所述第一源电极(5)和第一漏电极(6)进行热处理。

7.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：有源层(4)、氧化层(10)、刻蚀阻挡层(7)、源电极和漏电极，其中：

所述源电极包括第一源电极(5)和第二源电极(8)，所述漏电极包括第一漏电极(6)和第二漏电极(9)，所述第一源电极(5)和第一漏电极(6)设置于所述有源层(4)的上方；

所述氧化层(10)设置于所述第一源电极(5)和第一漏电极(6)的表面上，所述氧化层(10)是通过对所述第一源电极(5)和第一漏电极(6)进行热处理形成的，并且通过所述热处理使得所述有源层(4)中含有与所述第一源电极(5)和第一漏电极(6)相同的金属原子；

所述刻蚀阻挡层(7)覆盖所述第一源电极(5)与所述第一漏电极(6)之间的区域并与所述氧化层(10)部分地重叠，以用于保护位于所述第一源电极(5)和第一漏电极(6)之间的有源层部分；

所述第二源电极(8)和第二漏电极(9)设置于所述刻蚀阻挡层(7)的上方，所述第一源电极(5)与第二源电极(8)电连接，所述第一漏电极(6)与第二漏电极(9)电连接，所述第一源电极(5)、第一漏电极(6)与所述刻蚀阻挡层(7)部分重叠；

所述源电极和漏电极通过所述有源层(4)连接。

8.根据权利要求7所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一源电极(5)与第二源电极(8)通过所述刻蚀阻挡层(7)上的第一过孔电连接，所述第一漏电极(6)与第二漏电极(9)通过所述刻蚀阻挡层(7)上的第二过孔电连接。

9.根据权利要求7所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一源电极(5)与所述第一漏电极(6)之间的距离小于所述刻蚀阻挡层(7)上第一过孔与第二过孔之间的距离。

10.根据权利要求7所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一漏电极(5)和/或第一源电极(6)的材料为铝或铝的合金。

11.根据权利要求7所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述有源层(4)为金属氧化物半导体材料。

12.一种阵列基板，其特征在于，包括如权利要求7-11任一项所述的薄膜晶体管。

13.一种显示设备，其特征在于，包括如权利要求12所述的阵列基板。