[发明专利]一种薄膜晶体管、阵列基板和显示装置

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，包括栅极、栅绝缘层、有源层、源极和漏极，所述栅绝缘层设置在所述栅极和所述有源层之间，所述源极和所述漏极分别对应设置在所述有源层的两端，所述有源层采用金属氮氧化物材料形成，其特征在于，还包括能导电的氧空位削减层，所述氧空位削减层设置在所述有源层与所述源极之间，和/或所述氧空位削减层设置在所述有源层与所述漏极之间，用于使其中的氮原子渗透到所述有源层中，以对所述有源层中的氧空位进行削减；所述氧空位削减层采用金属氮化物材料。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述氧空位削减层包括第一削减部或第二削减部，或者，所述氧空位削减层包括第一削减部和第二削减部，所述第一削减部和所述第二削减部相分离；

所述第一削减部对应设置于所述源极和所述有源层之间，且所述第一削减部与所述源极和所述有源层接触，所述第二削减部对应设置于所述漏极和所述有源层之间，且所述第二削减部与所述漏极和所述有源层接触。

3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述金属氮化物材料包括Mo_xN_(1-x)或NdMoN，其中，0.1＜x＜1。

4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管，其特征在于，对应设置于所述源极和所述有源层之间的所述第一削减部在所述栅绝缘层上的投影与所述源极在所述栅绝缘层上的投影重合；对应设置于所述漏极和所述有源层之间的所述第二削减部在所述栅绝缘层上的投影与所述漏极在所述栅绝缘层上的投影重合。

5.根据权利要求4所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述源极和所述有源层之间对应设置有所述第一削减部，所述漏极和所述有源层之间对应设置有所述第二削减部，所述第一削减部和所述第二削减部与所述源极和所述漏极同时形成。

6.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管为底栅型结构。

7.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管为顶栅型结构。

8.根据权利要求2-5任意一项所述的薄膜晶体管，其特征在于，还包括刻蚀阻挡层，所述刻蚀阻挡层设置在所述有源层与所述源极和所述漏极之间，所述氧空位削减层位于所述刻蚀阻挡层的远离所述有源层的一侧；所述刻蚀阻挡层在对应设置有所述第一削减部的区域开设有第一过孔，所述第一削减部通过所述第一过孔与所述有源层接触；所述刻蚀阻挡层在对应设置有所述第二削减部的区域开设有第二过孔，所述第二削减部通过所述第二过孔与所述有源层接触。

9.一种阵列基板，其特征在于，包括权利要求1-8任意一项所述的薄膜晶体管。

10.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求9所述的阵列基板。