[发明专利]降低超导纳米线单光子探测器件非本征暗计数的方法及器件

权利要求书

1.一种降低超导纳米线单光子探测器件非本征暗计数的方法，其特征在于，包括步骤：

于所述超导纳米线单光子探测器件上集成短波通多层薄膜滤波器；

其中，所述短波通多层薄膜滤波器为通过多层介质薄膜实现的具有短波通滤波功能的器件。

2.根据权利要求1所述的降低超导纳米线单光子探测器件非本征暗计数的方法，其特征在于：所述非本征暗计数为由于光纤黑体辐射及外界杂散光触发的暗计数。

3.根据权利要求1所述的降低超导纳米线单光子探测器件非本征暗计数的方法，其特征在于：所述短波通多层薄膜滤波器对于工作波长1550nm处的光具有通带功能，允许99％以上通过，且能1％以下过滤波长范围大于1550nm的光波的滤波器，同时对于波长小于1550nm的光不作滤波和通带要求。

4.根据权利要求1所述的降低超导纳米线单光子探测器件非本征暗计数的方法，其特征在于，所述超导纳米线单光子探测器件包括：

衬底，结合于所述短波通多层薄膜滤波器表面，所述衬底的上下表面分别结合有上抗反射层及下抗反射层；

光学腔体结构，结合于所述衬底的上抗反射层表面；

超导纳米线，结合于所述衬底的上抗反射层与光学腔体结构之间；

反射镜，结合于所述光学腔体结构表面。

5.根据权利要求4所述的降低超导纳米线单光子探测器件非本征暗计数的方法，其特征在于：所述衬底为硅衬底、MgO衬底、蓝宝石衬底，所述光学腔体结构的材料为二氧化硅或一氧化硅，所述上抗反射层、下抗反射层的材料为二氧化硅或一氧化硅，所述超导纳米线的材料为NbN、Nb、TaN、NbTiN或WSi，所述反射镜的材料为Ag、Au或Al。

6.根据权利要求1所述的降低超导纳米线单光子探测器件非本征暗计数的方法，其特征在于：所述短波通多层薄膜滤波器包括交替层叠的二氧化硅层及硅层、交替层叠的一氧化硅层及硅层或交替层叠的二氧化硅层及一氧化硅层中的一种。

7.一种集成短波通多层薄膜滤波器的超导纳米线单光子探测器件，其特征在于，包括：

超导纳米线单光子探测器件；

短波通多层薄膜滤波器，集成于所述超导纳米线单光子探测器件，所述短波通多层薄膜滤波器为通过多层介质薄膜实现的具有短波通滤波功能的器件。

8.根据权利要求7所述的集成短波通多层薄膜滤波器的超导纳米线单光子探测器件，其特征在于：所述短波通多层薄膜滤波器对于工作波长1550nm处的光具有通带功能，允许99％以上通过，且能1％以下过滤波长范围大于1550nm的光波的滤波器，同时对于波长小于1550nm的光不作滤波和通带要求。

9.根据权利要求7所述的集成短波通多层薄膜滤波器的超导纳米线单光子探测器件，其特征在于：所述超导纳米线单光子探测器件包括：

衬底，结合于所述短波通多层薄膜滤波器表面，所述衬底的上下表面分别结合有上抗反射层及下抗反射层；

光学腔体结构，结合于所述衬底的上抗反射层表面；

超导纳米线，结合于所述衬底的上抗反射层与光学腔体结构之间；

反射镜，结合于所述光学腔体结构表面。

10.根据权利要求9所述的集成短波通多层薄膜滤波器的超导纳米线单光子探测器件，其特征在于：所述衬底为硅衬底、MgO衬底、蓝宝石衬底，所述光学腔体结构的材料为二氧化硅或一氧化硅，所述上抗反射层、下抗反射层的材料为二氧化硅或一氧化硅，所述超导纳米线的材料为NbN、Nb、TaN、NbTiN或WSi，所述反射镜的材料为Ag、Au或Al。

11.根据权利要求7所述的集成短波通多层薄膜滤波器的超导纳米线单光子探测器件，其特征在于：所述短波通多层薄膜滤波器包括交替层叠的二氧化硅层及硅层、交替层叠的一氧化硅层及硅层、及交替层叠的二氧化硅层及一氧化硅层中的一种。